把晶振的负载电容搞大了会怎样

发表于 2009-6-3 18:35

人物：
ARM 、12M晶振和晶振的负载电容。
事件：
晶振的负载电容，规格书要求30pF，而我实际上提供了近60pF（两个100pF的)。
现象：
ARM烧程序较慢（可能是偶然，个别情况），程序下载成功后可以正常工作；晶振的输出频率11.9M；输出电压波形依旧正弦波，但幅值由以前电容匹配时的0.96左右，上升为0.98左右。
问题：
负载电容由规定的30pF 变为60pF，对晶振寿命是否有影响；为什么ARM写程序变慢了。
已经量产，焊板结束，突然发现这个事故，望大家多多帮忙，不胜感激。

发表于 2009-6-3 20:17

晶体要影响寿命就是过激励，电容小了才过激励，大了只会激励不够。另外你测了两段电压好像还大了点，怀疑你的单片机是恒功率激励的，需要确认一下。

对单片机系统，电容大了会造成频率严重偏移标称值（可能偏到100ppm以上），或者是起振困难，特别是休眠唤醒状态。

第一个问题对你影响不大，100ppm的时差也不是啥大事。
第二个问题你要确认，否则温度变了，睡了觉觉喊不醒，麻烦就大了。

发表于 2009-6-3 20:56

发表于 2009-6-3 22:29

同时也是振荡器输出的负载电容，电容大了，振荡输出端的电流就大，可能会出现停振现象。

发表于 2009-6-4 09:01

多谢各位

发表于 2009-6-4 09:07

这两个电容是反馈电容

同时也是振荡器输出的负载电容，电容大了，振荡输出端的电流就大，可能会出现停振现象。

我想问的是，是不是有种可能就是说，现在是工作正常了，可是或许工作一会儿后晶振就不振了。是这个意思吗？

发表于 2009-6-4 10:28

发表于 2009-6-4 10:47

多谢大家，问题解决了，我把电容换了算了，省心

发表于 2009-6-4 18:06

负载电容变大时钟频率会变慢当然很小
对于通信电路会影响中心频率
很简单的事情
客观的讲
你负载电容大了程序跑的慢
小了程序跑的快
但是请控制在允许范围内
否则晶振部容易起振
或者容易死机

把晶振的负载电容搞大了会怎样

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就怕有些振不起来…………

这两个电容是反馈电容