导通问题？

登录 · 发表于 2015-10-9 20:48

输出电平是不是有问题呀？N沟道耗尽型的开启电压是负几伏吧？当输入是0时，地是哦，GS=0明显是导通的，是不是那本书有误？

发表于 2015-10-9 21:13

N沟道耗尽型MOFET，你能买到吗？哪里有卖的？

登录 · 发表于 2015-10-9 22:29

给两幅图：

发表于 2015-10-11 19:58

图A中当输入电压Vdd如果大于Vgs，该MOSFET导通，此时漏极对地电压极低。当输入电压为0时，MOSFET不导通，漏极电压为Vdd。P型管原理与之相反，即图B。应该没有什么不对。

发表于 2015-10-11 21:58

貌似LZ概念反了。

N型MOS相当于NPN管，Vgs相当于Vbe。
所以，左半部分波形是对的。

发表于 2015-10-12 16:09

本帖最后由 airwill 于 2015-10-14 06:35 编辑

楼主是个好学生，不过大家常用的是增强型MOS，常分析的也是增强型MOS，所以你懂的~~

发表于 2015-10-14 06:39

是的, 楼主的图明显的增强型MOS的特性.

发表于 2015-10-14 09:10

这种书上应该会描述的非常详细啊