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三极管容易被静电烧毁吗?

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yeool|  楼主 | 2009-1-7 16:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
cby981541| | 2009-1-7 16:15 | 只看该作者

MOSFET的栅极驱动加过压保护二极管(IEC标准中已严格规定)

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板凳
yewuyi| | 2009-1-7 16:25 | 只看该作者

三极管不太容易被ESD打坏

相对MOSFET来说。。。

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地板
yeool|  楼主 | 2009-1-7 16:27 | 只看该作者

to cby981541

数量太多不好加,也有可能是生产中损坏的,还有就是不明白怎么加,是加稳压二极管吗?那二极管的反应时间是太慢了

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chunyang| | 2009-1-7 18:48 | 只看该作者

使用MOS管需要在输入侧加钳位二极管

    分别对电源和地钳位,ESD不强时还可仅用一个电容对地并联来吸收静电。普通双极型三极管是电流型器件,除非很强的静电输入,否则不受影响,即时击穿只要不进入二次击穿态也就不会损坏,但双极型晶体管的输入电流相对MOS而言是巨大的,要注意前级的输入驱动能力。

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6
cby981541| | 2009-1-7 19:51 | 只看该作者

chunyang正解

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yeool|  楼主 | 2009-1-10 22:58 | 只看该作者

111

请问chunyang
当电源都没有的时候,钳位二极管怎么起作用啊?
还有三极管的二次击穿态是一个什么指标?

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chen611b| | 2009-1-10 23:28 | 只看该作者

111

当电源都没有时,钳位当然无效
三极管的第一次击穿一般是由于UCE过大导致的,这是可逆的,如果击穿后,IC继续变大,由于本身的耗散功率限制会先达成管子烧毁,这就是二次击穿了,当然不可逆了

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9
peak1021| | 2009-1-11 12:44 | 只看该作者

MOSFET

MOSFET是非常敏感的元件,要特殊保护

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10
赤铸| | 2009-1-12 11:10 | 只看该作者

没有电源,钳位一样有效

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