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NAND FLASH的一个关键应用问题

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楼主
insect2006|  楼主 | 2015-10-15 20:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, NAND, ck, nandflash, 三星
三星的NAND FLASH，一般来说BLOCK 0的位置都是写坏块表信息保留的
实际测试发现BLOCK 0的写入数据后重新断电再读出来数据不一致
检查了底层读写驱动没有问题
于是把写入地址改成BLOCK 1，结果就正常了！！
或者软件不改动，直接换新的NAND FALSH了，也正常了！！
很好奇BLOCK 0为什么这么脆弱？？虽然不是每片都遇上，但是几率也挺大的！！让人无法接受！
不知道大家有没有遇到这样的现象？如何解决？

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沙发
insect2006|  楼主 | 2015-10-15 20:32 | 只看该作者
看资料，一般来说BLOCK 0的读写寿命都要比其他BLCOK要持久很多，出现这样的现象不应该啊

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板凳
insect2006|  楼主 | 2015-10-15 20:33 | 只看该作者
不知道大家有没有遇到过我这种现象？？或者说卖的片子有问题？翻新货？假货？

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地板
insect2006|  楼主 | 2015-10-15 20:35 | 只看该作者
写进去的数据和读出来的数据比较，2K bytes的数据有十几个字节的数据不对

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5楼
mintspring| | 2015-10-15 22:33 | 只看该作者
我觉得通过链表好像也能跳过这些坏块。

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6楼
zqjqq88| | 2015-10-16 10:09 | 只看该作者
完全是楼主自己的问题，block0比其他块好很多~

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7楼
insect2006|  楼主 | 2015-10-16 10:42 | 只看该作者
zqjqq88 发表于 2015-10-16 10:09
完全是楼主自己的问题，block0比其他块好很多~

你说的全是废话

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