NAND FLASH的一个关键应用问题

发表于 2015-10-15 20:31

三星的NAND FLASH，一般来说BLOCK 0的位置都是写坏块表信息保留的
实际测试发现BLOCK 0的写入数据后重新断电再读出来数据不一致
检查了底层读写驱动没有问题
于是把写入地址改成BLOCK 1，结果就正常了！！
或者软件不改动，直接换新的NAND FALSH了，也正常了！！
很好奇BLOCK 0为什么这么脆弱？？虽然不是每片都遇上，但是几率也挺大的！！让人无法接受！
不知道大家有没有遇到这样的现象？如何解决？

发表于 2015-10-15 20:32

看资料，一般来说BLOCK 0的读写寿命都要比其他BLCOK要持久很多，出现这样的现象不应该啊

发表于 2015-10-15 20:33

不知道大家有没有遇到过我这种现象？？或者说卖的片子有问题？翻新货？假货？

发表于 2015-10-15 20:35

写进去的数据和读出来的数据比较，2K bytes的数据有十几个字节的数据不对

发表于 2015-10-15 22:33

我觉得通过链表好像也能跳过这些坏块。

发表于 2015-10-16 10:09

完全是楼主自己的问题，block0比其他块好很多~

发表于 2015-10-16 10:42

zqjqq88 发表于 2015-10-16 10:09
完全是楼主自己的问题，block0比其他块好很多~

你说的全是废话

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