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ISSI异步SRAM的两个片选信号的处理

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tuzihog|  楼主 | 2015-10-16 10:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 tuzihog 于 2015-10-16 10:03 编辑

问题描述:
STM32F407ZGT6外扩2M的SRAM---IS62WV102416DBLL-55TLI
两个CS信号的处理:
STM32F407ZGT6的FSMC_NE3通过10K电阻上拉到3.3V
FSMC_NE3对接CS1
FSMC_NE3作为反相芯片的输入端,反相器的输出端接到CS2
实际测试反向芯片的A和Y的信号波形基本正常,该反相芯片工作电压和反转速度都能满足要求。
现在的问题是SRAM芯片没能正常工作。

软件中开了一个测试数组在外部SRAM中
u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));
程序中对这个数组赋值
for(ts=0;ts<250000;ts++)
  testsram[ts]=ts;
仿真时发现赋值不对,SRAM得到的值是随机的。
请问这是什么问题,该怎么解决。

QQ截图20151016100209.jpg (77.42 KB )

电路图

电路图

QQ截图20151016100402.jpg (350.9 KB )

仿真截图

仿真截图

sn74aup1g04.pdf

1.63 MB

反相芯片

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tuzihog|  楼主 | 2015-10-19 09:05 | 只看该作者
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