用 PWM信号控制MOSFET驱动LED

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 楼主| lj9010 发表于 2015-10-16 10:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
如图所示,单片机PWM信号控制MOSFET驱动大功率LED,没有限流电阻,如何控制电流呢?
1:灯珠压降在3.2V左右,电源是12V
2:上电时如何保证mosfet不导通?
特别是控制电流搞不懂,自认为没有限流电阻的话,LED会被大电流烧掉
不理解,希望大师解惑,谢谢!

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 楼主| lj9010 发表于 2015-10-16 10:50 | 显示全部楼层
伙伴们,要沉的节奏么?
ddoocc 发表于 2015-10-16 11:16 | 显示全部楼层
有专门的PWM芯片,找一个看看手册就明白了。
 楼主| lj9010 发表于 2015-10-16 11:49 | 显示全部楼层
ddoocc 发表于 2015-10-16 11:16
有专门的PWM芯片,找一个看看手册就明白了。

不加限流电阻,会有问题吗?
Lgz2006 发表于 2015-10-16 11:59 来自手机 | 显示全部楼层
lj9010 发表于 2015-10-16 11:49
不加限流电阻,会有问题吗?

肯定有问题!
 楼主| lj9010 发表于 2015-10-16 12:37 | 显示全部楼层

但是手头上有成品就是上面的设计图,没有加限流电阻
Lgz2006 发表于 2015-10-16 12:42 来自手机 | 显示全部楼层
一种可能:G极外接有较大电阻,
换话说,MOS管不是工作在开关状态
 楼主| lj9010 发表于 2015-10-16 12:45 | 显示全部楼层
G脚接了一个1K电阻,到单片机I/O
123654789 发表于 2015-10-16 12:46 | 显示全部楼层
还有一种可能,电源的内阻大,LED的功率大
 楼主| lj9010 发表于 2015-10-16 12:49 | 显示全部楼层
123654789 发表于 2015-10-16 12:46
还有一种可能,电源的内阻大,LED的功率大

LED功率是1W的,电源是开关电源
 楼主| lj9010 发表于 2015-10-16 14:04 | 显示全部楼层
如果我的占空比为30%,粗略算12*0.3 = 3.6  压差=3.6-3.2=0.4  0.4/(灯珠阻抗+MOSFETZA内阻)=电流    请问我这样的思路是正确的吗?
lrhsx33 发表于 2015-10-16 14:12 | 显示全部楼层
建议是不要这样用。
上电只要PWM 为低电平,MOS 不会导通这个请放心。
电流的控制这个电路是没有的,只能用PWM 占空比去实现平均电流,但峰峰电流比较大,PWM频率最好10K以上。
如果可以的话加个电感+PWM方式更稳定一点。
皈依 发表于 2015-10-16 14:19 | 显示全部楼层
为什么不加限流电阻,你自己都说有问题了 为什么不加!
heelary 发表于 2015-10-16 17:45 | 显示全部楼层
Rds较大
slm342107 发表于 2015-10-16 20:29 | 显示全部楼层
上电只要PWM 为低电平,MOS 不会导通,所以为防止,最好加一个下拉。
电流的控制可以用PWM 占空比去实现平均电流,但实际在PWM开通期间电流还是很大,要保证频率足够快是可以降低平均电流,也不会烧坏管子,但长期使用肯定有问题。
这实际就是一个斩波电路。
myl593799546 发表于 2015-10-17 01:37 | 显示全部楼层
用MOS控制貌似蛮少见的,一般都用三极管啊
 楼主| lj9010 发表于 2015-10-17 10:08 | 显示全部楼层
slm342107 发表于 2015-10-16 20:29
上电只要PWM 为低电平,MOS 不会导通,所以为防止,最好加一个下拉。
电流的控制可以用PWM 占空比去实现平均 ...

PWM频率在哪个范围比较合适?我属行业一般使用1K~10K
slm342107 发表于 2015-10-17 10:20 | 显示全部楼层
最少也应该用个10K。相同占空比情况下,频率越低,越容易烧管子。
 楼主| lj9010 发表于 2015-10-17 10:40 | 显示全部楼层
slm342107 发表于 2015-10-17 10:20
最少也应该用个10K。相同占空比情况下,频率越低,越容易烧管子。

我来算算,谢谢你的精彩回复
 楼主| lj9010 发表于 2015-10-17 10:44 | 显示全部楼层
slm342107 发表于 2015-10-17 10:20
最少也应该用个10K。相同占空比情况下,频率越低,越容易烧管子。

频率我能达到15K,但是上电瞬间PWM如果是高电平,会不会将管子烧坏?
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