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PNP三极管开关电路无法导通

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legievs|  楼主 | 2015-10-16 11:41 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 legievs 于 2015-10-26 10:05 编辑

各位前辈
我设计了一个PNP三极管开关电路。
想着,低电平让三极管导通,让E级变为低电平来复位 模块。发现,B级为0时,E级还有0.9V电压,请问这是为什么。问了QQ群,说是钳位了,但说的不清楚,我还是不明白。
图如下:管子的偏置电阻是 R1 =10K, R2=47K 。
E级 上拉到1.8V,管子导通时,理论上E级降到0V左右,就可以复位模块。
但现在不行,
[img]file:///C:\Documents and Settings\Administrator\Application Data\Tencent\Users\1669817719\QQ\WinTemp\RichOle\)I[DRXV)SIVW)R14Q5VT_RP.png[/img]

补充说明:客户的复位脚RESET电平是2.8V,模块的复位脚M-RESET电平是1.8V,所以必须用三极管隔离。M-reset低电平时,复位模块。
因为客户的reset管脚采用了上拉处理,所以默认电平是高电平。
以上决定了不能使用反相电路来做隔离电路,即不能用NPN管来做隔离。
因为模块使用环境导致外围板不能很大,所以,PMOS管的封装(SPT-23)放不下,只能选用更小的封装如SC-79 ,所以也不能用PMOS来做隔离。
综合以上。
帖子更新:用PMO管,也无法实现这个功能,D级接GND,S级接1.8V M-Reset,栅级接2.8V Reset ,当把栅级置0后,PMOS管依然有0.7V压降(依然莫名其妙)
分析应该是这样,当栅级置0后,PMOS管的确是导通了,但是一旦导通后,S到D导通,S级变为0,VGS=0,那么PMOS管又恢复至不导通。



QQ图片20151016113837.png (25.87 KB )

QQ图片20151016113837.png

QQ图片20151016114015.png (32.07 KB )

QQ图片20151016114015.png

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沙发
Lgz2006| | 2015-10-16 12:04 | 只看该作者
“B级为0时,E级还有0.9V电”
没有什么比这句话更符合客观了!
该设计不适合用于“将E极拉至地电位”

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板凳
legievs|  楼主 | 2015-10-16 12:12 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2015-10-16 12:04
“B级为0时,E级还有0.9V电”
没有什么比这句话更符合客观了!
该设计不适合用于“将E极拉至地电位” ...

谢谢,能详细说下吗,

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地板
NE5532| | 2015-10-18 18:22 | 只看该作者
射极跟随器,怎么可能拉得下来?

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5
Lgz2006| | 2015-10-19 20:28 | 只看该作者
哪一句不懂呢?

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6
likun123| | 2015-10-19 23:54 | 只看该作者
低边驱动不要用pnp,导通电压不拉不下来的

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7
gx_huang| | 2015-10-20 08:45 | 只看该作者
三极管跟随器,本来就有0.7V压降。三极管的基本知识,直流偏置电路看看就明白了。

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8
元方义城| | 2015-10-20 09:04 | 只看该作者
楼上说的很直白了,记住就懂了。

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9
legievs|  楼主 | 2015-10-20 16:39 | 只看该作者
NE5532 发表于 2015-10-18 18:22
射极跟随器,怎么可能拉得下来?

请问,因为PCB空间的原因,我没法用PMOS管。同时,设计要求为同相电路,即 右边低,左边也低,也没办法使用NPN管 。
那么我还能怎么解决这个问题。,

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10
legievs|  楼主 | 2015-10-20 16:40 | 只看该作者

在使用PNP管的情况下,有没有办法将E级拉到低点位呢

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11
NE5532| | 2015-10-20 16:55 | 只看该作者
MOS关并不比BJT管大,不知道你左边信号是怎么来的,有可能根本就不需要三极管,也有可能用个同相驱动门可以解决问题。反正三极管想同向驱动的,肯定是射极跟随器,要反向的,必定是共射组态。楼主自己把条件说清楚了,大家才能帮你。

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12
legievs|  楼主 | 2015-10-20 17:07 | 只看该作者
NE5532 发表于 2015-10-20 16:55
MOS关并不比BJT管大,不知道你左边信号是怎么来的,有可能根本就不需要三极管,也有可能用个同相驱动门可以 ...

你好,已经补充说明了。

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13
NE5532| | 2015-10-20 17:19 | 只看该作者
楼主你整复杂了不是,一个二极管就解决了的问题,被折腾了半天。

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legievs|  楼主 | 2015-10-21 19:16 | 只看该作者
NE5532 发表于 2015-10-20 17:19
楼主你整复杂了不是,一个二极管就解决了的问题,被折腾了半天。 ...

哈,你说的对,实际上我是做了二极管兼容电路的,只不过我的PNP管电路实现不了功能,所以需要想清楚

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huayuliang| | 2015-10-21 22:40 | 只看该作者
legievs 发表于 2015-10-21 19:16
哈,你说的对,实际上我是做了二极管兼容电路的,只不过我的PNP管电路实现不了功能,所以需要想清楚 ...

你是因为信号不能反相,所以用的PNP,是吧?
你的目的是要BJT 导通,不过无论是PNP 的还是PNP 的,要达到饱和,先不说电流,发射结电压就得达到0.7V。也就是说,想要导通,Vce必然会大于0.7V(电阻R2的原因)。

NE5532 提到用个二极管就可以解决问题。这说明你没考虑M-RESET 可以接受的逻辑输入电压范围。需要的话,二极管再串联个电阻吧。

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16
NE5532| | 2015-10-22 08:46 | 只看该作者
15楼已经帮你总结了,你的错误在于电路的基本形式都选错了,缘木求鱼,自然做不出来。但是你没用二极管,就更是南辕北辙了。

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17
ddoocc| | 2015-10-23 11:34 | 只看该作者
三极管B-E之间是个二极管,对这点电压敏感的话就用MOS管。

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18
legievs|  楼主 | 2015-10-24 10:01 | 只看该作者
huayuliang 发表于 2015-10-21 22:40
你是因为信号不能反相,所以用的PNP,是吧?
你的目的是要BJT 导通,不过无论是PNP 的还是PNP 的,要达到 ...

谢谢 。
经过验证,二极管再串联电阻是可行的,这个之前就已经做了设计。
PNP管如果需要进入饱和区,那么VBE必须正偏,在这个电路里面明显是实现不了的,所以最终改为了PMOS管。
PMOS管已经找到了SC-75的小封装。

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legievs|  楼主 | 2015-10-24 10:03 | 只看该作者
本帖最后由 legievs 于 2015-10-24 16:03 编辑

fsdfsdfsfsdf

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oldzhang| | 2015-10-24 23:02 | 只看该作者

本帖最后由 oldzhang 于 2015-10-25 15:02 编辑

我想NE5532说的一个二极管就可以,应该是这样吧?
当用户的2.8v的reset为0v时,后面的M-RESET电压不会超过0.3v吧(肖特基二极管)

reset.GIF (1.82 KB )

reset.GIF

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