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[电路/定理]

mos管的栅极电荷

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楼主
953565250|  楼主 | 2015-10-16 13:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
HWM| | 2015-10-16 13:43 | 只看该作者
这句话的意思是 栅极电荷是越小越好吗?驱动电流要选多大合适?

要求速度,那么自然是“栅极电荷”(其实指电容)越小越好。至于需要多大电流,要看那个电容的大小和所需速度(时间),这个在《电路》类书籍中有。

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953565250|  楼主 | 2015-10-16 14:08 | 只看该作者
所以mos管的“开”时间可以近似看成电容Vgs和Vgd充满的时间?

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地板
皈依| | 2015-10-16 14:23 | 只看该作者
时间不会你想定就能定的 是根据工艺决定的

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maychang| | 2015-10-16 14:52 | 只看该作者
953565250 发表于 2015-10-16 14:08
所以mos管的“开”时间可以近似看成电容Vgs和Vgd充满的时间?

不仅是Vgs和Vgd,实际应用中还有一个电容,称为密勒电容。这个电容,是漏极电压变化对门极充电的影响。

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coody| | 2015-10-17 22:14 | 只看该作者
栅极电压上升率并不是越快越好,要根据具体的管子和具体的要求。
假设栅极总等效电容为0.01uF(有的大功率管就有这么大),要求0.1us由0V上升到10V,则驱动电流需要1A,这就是为什么一些开关电源芯片的驱动能力要达到1A或以上的原因(比如3842)。

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