CC2520参考电路的晶振不起振

只看该作者 · 2009-3-6 17:14

   我是做zigbee的，用的TI的CC2520方案，PCB板也是参考的TI给的设计sw190,NDK晶振
   X_32.000/10/15/30/16
Crystal, 32.000MHz, NX3225SA, 10/15ppm, 16 pF  ! Temp range -30 - +85 deg C !
但找了很久TI推荐的晶振找不到，找到最接近的是CL=10pF的，原来TI给的参考负载电容是27pF,我按照公式计算CL=C1*C2/(C1+C2)+Ca;
算出Ca=CL-C1*C2/(C1+C2)=16-27/2=2.5pF,而反推C1new=(CL-Ca)*2=(10-2.5)*2=15pF,于是我用两个15pF电容代替原来的，然而不起振。
    不知各位大侠不什么好方法吗？我已经直接上NDK网站了，查了NX3225SA系列，最大都没有CL=16pF的，现在我买到的是CL=10pF，其他参数全部符合，我想用它替代，但似乎不起振，各位大侠我上面计算方法有问题吗？
    请给出一些参考意见，不胜感激之至！

只看该作者 · 2009-3-9 12:08

如果我没记错：
晶振用大的电容容易起振，只是起振的比较慢。、
晶振用小电容不容易起振，所以请用大电容一点点试

利用辅助电容实现负载匹配

　　（1）当所选的晶振负载电容不是10pF时，可以采用增加辅助电容的方法提高或降低DS1302振荡器的电容性负载，使之与晶体所需的电容值匹配。如果已知晶体的负载电容为CI，若CI<6pF，则可以增加一个并联电容CS以产生所需的总负载电容CI，即CI=10pF+CS；若CI>6pF，则可以在晶体的一端增加一个串联电容CS，以产生所需的负载电容CI，即1/CI=1/6pF+1/CS，通过计算即可得出应增加的辅助电容大小。

　　（2）在使用前对晶体的负载电容并不知道的情况下，通过测定晶体振荡频率的方法可以确定该晶体的负载电容。

　　对于晶体振荡器来说，其振荡频率与负载电容之间的关系是确定的。DS1302使用的32000Hz晶振：当它工作于所要求的负载电容时，能较准确地产生32768Hz的频率；当它的负载电容小于10pF时，其振荡频率会正向偏移；当它的负载电容大于10pF时，其振荡频率就会负向偏移。因此，对于未知负载电容的晶体应首先采用实验的方法，在其两端加入辅助电容使晶体起振，然后用频率计测出振荡频率。若测得频率大于32000Hz，说明负载电容偏小；若测得频率小于32000Hz，说明负载电容偏大。对辅助电容逐步调整，最终使振荡频率尽可能接近32000Hz，则此时晶体端所接负载电容的总和就是适合该晶体的负载电容。

只看该作者 · 2009-3-10 15:24

增大电容值，应该更容易起振

只看该作者 · 2009-3-11 14:13

CC2520参考电路的晶振不起振

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。。

Re:CC2520参考电路的晶振不起振

学习了，晶振跟电容有这么大的关系