关于三极管静态工作点的设置问题!!求论坛的老鸟们看看!!

登录 · 发表于 2015-10-20 15:53

比方说三极管S9014,看图
第一个问题来了,这是hFE是直流增益没理解错吧?
好那么再看下一个图了

这是Vce-Ic曲线图,
好了,那么第二个问题来了,如果是按照这个曲线图的Ib,Ic计算,
放大倍数大概都是250左右,就跟上面的hFE不同了吧?
试过调试,最后计算得是符合第一个表的放大倍数,
那么久纳闷Vce-Ic曲线图究竟是想表达什么呢?

file:///C:\Users\Neng\AppData\Local\Temp\mx399DE.png

发表于 2015-10-20 16:16

也许您，还没学到这一块儿，
它，给出了一个典型管子，在一个很大工作范围内，基本的输出电流与电压值关系，测得的一大组数据。
它给出一个〈客观〉，所见即所得！

发表于 2015-10-20 17:37

Lgz2006 发表于 2015-10-20 16:16
也许您，还没学到这一块儿，
它，给出了一个典型管子，在一个很大工作范围内，基本的输出电流与电压值关系 ...

那直流增益hFE参照的应该是表格的而不是Vce-Ic的图吧

发表于 2015-10-20 17:38

Lgz2006 发表于 2015-10-20 16:16
也许您，还没学到这一块儿，
它，给出了一个典型管子，在一个很大工作范围内，基本的输出电流与电压值关系 ...

那图只是表示Vce-Ic的关系,而Ib只是表示某一管子而不是全部管子,对不?

发表于 2015-10-20 17:45

VCE对于放大倍数的影响。

发表于 2015-10-20 17:46

cavalierns 发表于 2015-10-20 17:38
那图只是表示Vce-Ic的关系,而Ib只是表示某一管子而不是全部管子,对不?

显然曲线只能是典型值，无法表示管子参数的分散性。

发表于 2015-10-20 17:48

cavalierns 发表于 2015-10-20 17:38
那图只是表示Vce-Ic的关系,而Ib只是表示某一管子而不是全部管子,对不?

这个图只表示某一管子而不是全部管子，

发表于 2015-10-20 17:57

本帖最后由 Lgz2006 于 2015-10-20 18:02 编辑

cavalierns 发表于 2015-10-20 17:37
那直流增益hFE参照的应该是表格的而不是Vce-Ic的图吧

笫1.你的表I并不表达〈具体〉的参数。它是一个hFE分档表，包含所有60~1000的。请问你参照的是哪个?
涕2.一般，直流与交流值相差不多，可以混用。况且，图表II也可获得hFE值。
第3.沙发第2句，“它，给出了<一个典型>管子……”。你想啊，一个图可能包含一百万一千万更多管子参数么！

发表于 2015-10-20 22:00

maychang 发表于 2015-10-20 17:46
显然曲线只能是典型值，无法表示管子参数的分散性。

这个我知道,但是如果我是D型的hFE的话应该范围在400~1000,然后Vce-Ic曲线明显hFE是250就不对了

发表于 2015-10-20 22:03

Lgz2006 发表于 2015-10-20 17:57
笫1.你的表I并不表达〈具体〉的参数。它是一个hFE分档表，包含所有60~1000的。请问你参照的是哪个?
涕2. ...

第1,我参照的是D型管子,是符合的.
第2,这个明白.
第3,不需要一百万个还是一千万,他只有4个hFE范围,4幅图4个典型值就ok了,我不是讨论管子离散性的问题

发表于 2015-10-20 22:09

我随便算下低电流有750，高电流625，你怎么算出250左右呢？

发表于 2015-10-20 22:11

HFE是受静态工作点电流变动的值。

发表于 2015-10-20 22:35

zyj9490 发表于 2015-10-20 22:09
我随便算下低电流有750，高电流625，你怎么算出250左右呢？

对,这里看哪个点,Vce=10V,Ic=15mA,Ib=20uA,的确是

发表于 2015-10-20 22:40

cavalierns 发表于 2015-10-20 22:35
对,这里看哪个点,Vce=10V,Ic=15mA,Ib=20uA,的确是

在包和区的那个点，都不会掉到250的。

发表于 2015-10-20 22:42

zyj9490 发表于 2015-10-20 22:40
在包和区的那个点，都不会掉到250的。

那你看看Vce=2V,Ic=10mA,Ib=20uA

发表于 2015-10-20 22:43

zyj9490 发表于 2015-10-20 22:40
在包和区的那个点，都不会掉到250的。

不好意思,这个混淆了,因为之前看的是S8050,这个是s9014的

发表于 2015-10-20 22:44

cavalierns 发表于 2015-10-20 22:42
那你看看Vce=2V,Ic=10mA,Ib=20uA

不能算是包和区的点吧，如果DI/DVC是个固定了，可算是包和区。

发表于 2015-10-20 22:46

cavalierns 发表于 2015-10-20 22:42
那你看看Vce=2V,Ic=10mA,Ib=20uA

也是500啊，

发表于 2015-10-20 22:47

cavalierns 发表于 2015-10-20 22:43
不好意思,这个混淆了,因为之前看的是S8050,这个是s9014的

8050是中功率管，相对的HFE是比较低，

发表于 2015-10-20 22:49

zyj9490 发表于 2015-10-20 22:46
也是500啊，

那你看看表格的hFE,A型60~150,B型100~300,C型200~600,D型400~1000,如果我选A型B型都明显不对,Vce-Ic图就只有这一个,明白我的意思不?不是讨论器件离散性的问题

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