BQ20Z70+BQ29330在应用上还是比较模糊, 第一次写数据的时候一定要在Manufacturer Access : 那写入0021 ,0021是打开动态跟踪技术. 不写的话像做过流保护就不会恢复.
复位命名是在: SBS 那的 Write 2 word Command:里写 2713 1712. 当然在Manufacturer Access里分别写2713 1712也是可以的, 但是我弄不明白的是写这些东西不给地址BQ20Z70也能自动识别到指定位置那,
Long兄告诉还要写个0041 我不知道是什么命令. 不知道有何作用.
对于BQ20Z70的理解, 安全保护方面在DATAFLASH 里 1st Level Safety的安全参数设置好了, 保护是可以正常恢复的. 假如电池包安全状态超过1st Level Safety ,而通过2nd Level Safety 设定的值保护, 保护是不可恢复的, 需要用REST命令进行恢复. 我是这样理解的, 这也是以前做试验的时候由于2nd 的SOC DSG值没设置好才老是过流保护后不恢复. 在世平的AFE帮助下解决了.
***************** 现在遇到最后一个问题, 就是我1st 里AFE的保护参数设置好, 我做短路保护通不过. BQ29330的短路保护反应时间好象太长, 反应不过来. SCD 都设置成了22了, 也就是122uS 15A的短路电流条件下就保护. 这已经很低了, 默认值是77, 427uS 27.5A保护.
初始板, 写入参数, 写2673 1712命令, 再写0021 (不写0041) 短路就烧MOS, 假如(加个保险管)就烧保险管, BQ29330也坏了, 不出2.5V
初始板, 写入参数, 写2673 1712命令, 写0041 再写0021 好象有点改善, 但最后还是烧了.
我发了封E文信同TI的技术员联系了下, 对方告诉我, 对于过流和短路保护, 是AFE 单独进行安全保护的, BQ29330的电流取样线路不能有延迟, 尽可能的靠近SRN 电阻. 线尽量窄和短, 同时FET MOS 选用功率大的MOS.
我用的是TI公司的DEMO板, PCB线路应该没什么问题吧, FET MOS 都选用的是6毫欧, 40A的N-MOS了. 可能还是那个参数设置有问题. 不知道是那里, 或者是不是还要写个什么指令进去才能正常.
请大家再次帮助下.谢谢.......
请问我的BQ20Z70 +BQ29330 怎么设置的参数过流保护可以, 但是短路保护不行. |