有关PSOC在产品设计中的硬件抗干扰问题

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 楼主| ni_labview 发表于 2008-4-29 23:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
PSOC目前作为一种具有M8类内核的产品在遇到外部干扰是同样会遇到死机复位的问题.从两方面讲,一方面软件程序复位之后如何按正确路走回去,另一方面是在硬件系统设计时应该同样以对待模拟电路加单片机的要求对整个系统进行设计,原则上该加的元件必须加,可加可不加的元件要想法预留空间,举例具体讲:
1.电源口去耦电容必须加,另外要串接磁珠.
2.涉及到外引I/O要注意防静电,加ESD器件,特殊还要有TVS.
3.设计模拟输入通道要加磁珠防瞬变干扰.
4.以PSOC目前的AD采样率水平非特殊应用模拟输入通道加入简单无源滤波网络.
5.能不用外部晶振时尽量不用.(这条在继续测试)

相信大家对这些都了解一些或更多,也希望大家总结出更多完善PSOC设计的好方法.

 
shilei1014 发表于 2008-5-3 09:57 | 显示全部楼层

请问为什么要“电源口去耦电容必须加,另外要串接磁珠”

QIUMING 发表于 2008-5-13 02:16 | 显示全部楼层

还要注意设计PCB

还要注意设计PCB,处理好地。
辛夷木蓝 发表于 2008-5-13 22:17 | 显示全部楼层

我会试试的! 谢谢!

jieruida 发表于 2008-5-18 16:44 | 显示全部楼层

为什么 能不用外部晶振时尽量不用?

为什么 能不用外部晶振时尽量不用

外接晶振不是精度更高吗
qiuming 发表于 2008-5-18 19:13 | 显示全部楼层

能不用外部晶振时尽量不用????

楼上,这个问题我可以回答你,你对精度有要求就要用外部晶振啦,大家说能不用外部晶振时尽量不用,不是所有产品都不用.
shilei1014 发表于 2008-5-19 10:00 | 显示全部楼层

我订购ni大哥说的那本书了

han_zju 发表于 2008-5-27 14:25 | 显示全部楼层

关于去耦电容磁珠还有晶振

去耦电容主要是去除电源纹波。PSOC芯片的数字部分在高低电平切换时,电源上瞬态负荷变动很大,加上去耦电容,减少瞬态负荷对电源的影响。电源纹波对模拟部分影响会比较大。串接磁珠也是去除电源高频纹波的作用。

外部晶振需要很好的接地,屏蔽。晶振产生的高频振荡电压可能会对经过其附近的电源线和地线产生一定的干扰。内部晶振就不存在这个问题了。


hotpower 发表于 2008-5-28 01:55 | 显示全部楼层

俺对PSoc的中断体系有疑问...RAM里的中断向量表能否保护???

PSoC_Rock 发表于 2008-5-29 10:00 | 显示全部楼层

中断向量表是在RAM里吗?

中断向量表是在RAM里吗?为什么这样说?
gary_ren 发表于 2008-6-3 09:18 | 显示全部楼层

关于模拟信号

如果I/O口中有使用了模拟信号时,模拟地和数字地能否铺在一起,还是要加个磁珠隔离可以吗?
 楼主| ni_labview 发表于 2008-6-4 17:05 | 显示全部楼层

模拟信号线一般要加磁珠,涉及高位数AD时不吃亏

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