请教:PSOC用FLASH模拟EEPROM的寿命如何?

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 楼主| shanyu20 发表于 2008-12-31 11:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
在DATASHEET里有这么一句话:
Flash Write Cycle Longevity 
The Flash memory has a limit with respect to the total number of lifetime writes. This device-specific total number can be found in the applicable device family data sheet. 
这应该是说模拟的EEPROM的写是有寿命的,但翻阅了CY8C29466的芯片资料、技术参考手册和其它的一些应用文档都没有介绍寿命的具体参数,请大家指点一下,谢谢!我只是打算保存一些校准数据,没有设置数据

jxin 发表于 2009-1-2 09:47 | 显示全部楼层

an2015

在an2015上或许你能找到你想要, 不知你看过没有:
A Flash write requires that an entire 64-byte block be written, even if only 1 byte is to be modified. Any block write uses what is called an endurance cycle (of which there are a maximum of 50,000 per block). A maximum of 36 x 50,000 block endurance cycles is allowed for any PSoC part. This may be balanced between operations on 36x1 blocks of 50,000 maximum cycles each, or 36x2 blocks of 25,000 maximum cycles each, or 36x4 blocks of 12,500 maximum cycles each (and so forth to limit the total number of cycles to 36x50,000 and that no single block ever sees more than 50,000 cycles). Normally, a PSoC device is specified as having 36x64 bytes of Pseudo-EE PROM for maximum endurance.
 楼主| shanyu20 发表于 2009-1-2 10:17 | 显示全部楼层

谢谢!

谢谢jxin,没看过呢,当初只在安装目录里看了一些文档,上面所述:一般PSOC单片机允许FLASH有36个BLOCK作为Pseudo-EE PROM,并且每个模块最多允许写50,000次,而且是在实际温度与写EEPROM设置的温度偏差不太大的情况下,The above-specified PSoC devices use an adaptive algorithm to enhance endurance over the industrial temperature range (-40°C to +85°C ambient). To achieve maximum endurance, the Flash write needs to know the die’s temperature.
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