三条建议助你提高逆变效率

发表于 2015-10-29 17:32

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关于逆变效率的问题，设计者们一向致力于通过各种方法来对其进行提高。但是该从哪些方面来入手，从而提升逆变效率呢？这对部分新手来说是一个较为困难的问题，在本文当中，小编将为大家总结三个能够提高逆变效率的建议。

纵观逆变器的主电路，对于有变压器逆变器来说，主电路上主要有直流滤波器（或者直流滤波电路）、IGBT（或者其他逆变模块）、电抗器、变压器、交流滤波器（或者自制滤波电路）以及导线。所以我们为了提高逆变器的转换效率，可以从这些方面入手。比如：

1、IGBT，我们可以降低IGBT的损耗，降低IGBT的开关频率，但是也不能无限制的降低，因为当降低开关频率时，逆变出的波形会变差，电能质量就会降低，并且会提高机器的噪音，所以只能适当的降低IGBT的开关频率。

2、变压器的损耗，而变压器的损耗只有其自身的铜损和铁损，我们将这两个损耗降低时，逆变器的转换效率会有所提高。

3、电抗器的损耗，提高电抗器的Q值，也就是降低电抗器的感抗。所以提高逆变器的转换效率还许多方法，相信这方面的专家会有许许多多的更有效的方法来提高自己产品的效率。

以上就是三个关于提高逆变效率的建议，正苦于如何提高逆变效率的朋友们不妨花上几分钟来阅读本文，并按照文中给出的建议对电路进行修改，相信逆变效率会得到非常明显的改进。

发表于 2015-10-31 21:01

IGBT，我们可以降低IGBT的损耗，降低IGBT的开关频率，但是也不能无限制的降低

发表于 2015-10-31 21:37

IGBT是未来功率器件主流发展重点方向，这句话概括的不错吧。

发表于 2015-10-31 21:37

IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。

发表于 2015-10-31 22:46

SiC MOSFET 驱动器今年来也很火热。

发表于 2015-11-5 14:40

碳化硅、氮化镓以后也会是主流的吧~~~

发表于 2015-11-5 21:34

有具体的设计方案吗

发表于 2015-11-5 21:36

是不是使用IGBT更好一些。

发表于 2015-11-17 20:11

这个方案有些抽象了。

发表于 2015-11-19 22:11

IGBT，很多方案中就应用了。

发表于 2015-11-19 22:13

IGBT是用在逆变器中的功率器件,配合逆变器完成把直流电能转变成交流电的功能。

发表于 2015-11-19 22:15

参考一下《IGBT逆变电源的设计与应用》

发表于 2015-11-26 07:12

现在的方案倾向于IGBT方案

发表于 2015-11-27 22:32

这个第一条可行外。。。。

发表于 2015-11-28 01:45

SiC MOSFET 确实情能好很多直接把效率提上去了

发表于 2015-11-30 21:47

有验证的吗

发表于 2015-12-1 22:30

还是DCDC电路吧。

发表于 2015-12-4 22:50

理论支持。

发表于 2015-12-4 22:52

能够实际的方案么

发表于 2015-12-13 21:56

如果有使用案例就好了。

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