此问答集主要收录了一些在使用 Holtek 产品时，用户普遍会遇到的问题：
Question 1
HT-ICE内部的VCC可提供多大的电流？I/O口最大的输出电流是多少？
Answer
仿真器内部的VCC可提供电流大概为600mA。所有的I/O输出电流总和在300mA左右。
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Question 2
为何我的程序在设定16- bit Timer时，用Step观察的结果与我预期的不一样？
Answer
由于ICE设计上的原因，对于16bit Timer的运作，是不宜用Step指令观察其结果，正确的方法应是在设定Timer的指令前后设定断点，再分别观察执行的结果。
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Question 3
软件仿真是否能够生成OTP档？
Answer
不可以。但可以选择硬件仿真编译，编译器会提示无法连接ICE，但会生成OTP档。
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Question 4
HT-49 ICE仿真LCD时，为什么LCD没有显示？
Answer
首先检测LCD的输出波形对不，如果LCD没有输出波形，去调整ICE接口板上的VLCD（VR2）电阻，直到波形正常。如果还是没有显示，则查看LCD RAM对应的LCD有没有值，是否是因为对LCD RAM没有间接寻址造成的。
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Question 5
HT48 I/O Type MCU的工作频率为何？
Answer
在5V、3.3V及3个电池的应用，工作频率达Max. 8MHz (3.3V)。
在3V及2个电池的应用，工作频率达Max. 4MHz (2.2V)。
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Question 6
当系统频率选用Int. RC + RTC时Timer的Clock Source有何选择？
Answer
当系统频率选用Int. RC + RTC时Timer的Clock Source有fSYS/4和RTC OSC两种选项，当选用fSYS/4时，则HALT时Timer跟着停止。若选用RTC OSC，则HALT时，此Timer不会停止；亦即是此Timer可以当Real Time Clock (RTC)使用。
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Question 7
HT MCU具有LVR功能，它动作时，MCU的I/O、OSC等管脚处于何种状态？
Answer
当电压低于低电压复位电压时，此时LVR启动。
当最小工作电压<Vdd<低电压复位电压时，I/O口处于初始输入状态，OSC起振。
LVR的复位电压会因制程的不同有一定漂移，具体请参看相关的Datasheet的D.C.参数表格。
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Question 8
没有用到的I/O Pin如何处理？
Answer
若不用之I/O Pin浮接时，会造成IC的耗电，最好的处理方式就是将不用的I/O Pin设定成Output Pin。如果要设成Input Pin则要选择Pull-high 电阻，如果不选用Pull-high电阻，则将Pin脚接地。
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Question 9
当直接向Tmr中写入数据时，会发生什么结果？
Answer
直接向Tmr写数据，会由于Tmr的工作状态分为两种情况。
当Tmr关闭时，写入的数据会直接修改到当前的计数寄存器和默认值寄存器。
如果Tmr是打开的，写入的数据只会修改默认值寄存器，当前的计数值不会被修改，当计数到溢出后，再从默认值寄存器中取值。
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Question 10
MCU input pin 若用于侦测110或220V/230 AC 讯号之过零点(Zero Crossing)功能时，外部应串接多大的电阻才不会造成 IC 损坏？
Answer
由 AC LINE 直接连接至 IC I/P，主要须考虑的是来自AC LINE的浪涌电压及高频噪声可能对 IC I/P造成的过流及过压破坏。
在110 V之应用下，建议串接一个 2M 奥姆电阻。在220/230 V 之应用下，建议串接4M~5M奥姆。若使用SMD零件，
由于其耐压值只有200V，故必须串接2个2M~2.5M电阻。
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Question 11
请问Holtek MCU使用汇编语言中的RR和RL操作与使用C语言中的位移运算符>>和<<操作的结果是否相同？
Answer
两种操作的结果是不同的。使用汇编语言中的RR和RL指令，会将相应的数据存储器右移一位，结果放回数据存储器中，不影响C标（进位标志位）。而使用C语言中的位移运算符>>和<<会对运算符左边的操作数执行向右或向左的位移运动，移动的位数由运算符右边的操作数决定，如果进行右移操作则左边高位会补0，反之进行左移操作则右边低位会补0，同时需要注意右移或左移时的移出数据会进入标志位C，从而改变C标的原值 。
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Question 12
采用系统频率来自内部RC震荡的时候，请问误差是多少？
Answer
因为芯片工艺和温度等等影响，一般内部RC的误差最大可以达到40%左右。因此如果需要蜂鸣器输出或者计时等功能，建议采用外部RC或者晶振。
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Question 13
如何在程序中通过软件设置来解决因干扰引起的重置问题？
Answer
防止干扰最有效的方法是去除干扰源、隔断干扰路径，但往往很难做到。在恶劣环境影响下，单片机可能受到较大干扰，最常见的现象就是重置，至于程序跑飞可以用软件陷阱和看门狗将程序拉回到重置状态。
Holtek MCU提供有TO（暂停旗标位）和PDF（看门狗溢出旗标位）旗标缓存器，可以用来判断重置原因；另外也可以自己在RAM中埋一些旗标。在每次程序重置时，通过判断这些旗标，可以判断出不同的重置原因；还可以根据不同的旗标直接跳到相应的程序段，这样可以使程序运行有连续性，用户在使用时也不会察觉到程序被重新重置过。
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Question 14
当芯片内部的程序空间没有被写满时，如何处理空余的程序空间？
Answer
为了保证程序运行的可靠性，防止程序乱跑之后跳入未编程的ROM空间，建议将所有的空余程序空间全部写JMP 00H ，机器代码是2800H。这样一旦程序跑到空余程序空间，也会马上跳到程序开头执行，避免程序跑错。
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Question 15
生产中发现HT1380很多不能可靠起振，是否对晶体要求很高，HOLTEK是否有相应的指导意见？
Answer
出现晶体不可靠起振的原因比较多，与晶体的质量当然有关系，但1380对晶体的要求不高。首先你要根据我们datasheet上推荐的参数设计振荡电路，另外，晶体尽可能的靠近IC，避免因衰减导致不可靠起振。
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Question 16
在使用汇编语言编程时，针对如HT46R24等具有多个RAM Bank的MCU，是否可以对定义在非RAM BANK 0中的变量进行直接寻址操作？
Answer
不可以。
在汇编语言中，不管BP是何值，直接寻址方式只能对RAM Bank 0内的数据寄存器进行操作，如需对RAM BANK 0以外的通用数据存储器进行操作的话只能通过MP1进行间接寻址操作。
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Question 17
HT46R23、HT46R24各提供2及4 channel PWM output，如各channel之PWM register填入一样的值， 请问于不同时间依次enable 各channel之PWM output，是否可产生不同相位的PWM output 波形？
Answer
无法产生不同相位的PWM output 波形, 因为各channel之PWM output 来自同一个PWM counter。
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Question 18
HT MCU具有LVR功能，它动作时，MCU的I/O、OSC等管脚处于何种状态？
Answer
当电压低于低电压复位电压时，此时LVR启动。
当最小工作电压<Vdd<低电压复位电压时，I/O口处于初始输入状态，OSC起振。
LVR的复位电压会因制程的不同有一定漂移，具体请参看相关的Datasheet的D.C.参数表格。
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Question 19
Holtek MCU中断有优先级的区别，请问高优先级中断会不会打断低优先级中断？
Answer
Holtek MCU中断优先级区别是，当有多个中断申请同时存在时（对应中断请求旗标置起）MCU将首先响应高优先级的中断。但不论哪一级中断只要被MCU响应后，其对应的中断请求旗标会被重置且EMI（总中断控制位）会被清零从而除能其它中断，所以如果MCU已进入了低优先级的中断则不会被更高优先级的中断所打断，直到中断服务子程序返回后才会响应。
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Question 20
如打算用定时中断把处在HALT下的CPU唤醒，遇到这样的问题： HOLTEK的资料上说： 暂停模式是通过"HALT"指令实现且造成如下结果：系统振荡器将被关闭 ，那么这是否说在HALT状态下，定时器也不可用？
Answer
HALT状态下，系统振荡器关闭，若定时器时钟来源为系统时钟，则定时器在HALT下停止；若以非系统时钟（如RTC）为时钟来源，则在HALT下，定时器仍然工作，溢出中断时唤醒MCU。
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Question 21
程序中建的表格在ROM范围之内，并且程序语句占用空间也在ROM范围内，但编译时却报错：Program code is too large!原因可能出现在哪？
Answer
请注意“MOV A, OFFSET TAB_Address+Num”语句的使用。譬如TAB_Address是程序中所建立的表格的首地址，如果该表整体都在ROM范围内，而当TAB_Address+Num（Num是程序员自己定的一个地址偏移量）指向的地址却超出了ROM空间时，就会出现题目中所说的报错。
这一点很容易被忽略，所以要慎用“MOV A, OFFSET TAB_Address+Num”语句。建议用下面两语句来代用：
MOV A, OFFSET TAB_Address
ADD A， Num
。。。（后面再视情况而定做ADD算法是否溢出的判断，作相应处理）
则不会出现这种错误，因为表地址TAB_Address是否在ROM范围内能很容易发现。
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Question 22
把金属晶振外面的金属层与GND连接，这种接法是不是可以提高抗干扰性，使晶振更稳定？
Answer
一般来说，这种晶体外壳焊接到地，只是为了结构上的稳定：抗震！电路特性能够充分抑制EMI干扰。只有频率较高的晶体，EMI方面才需要着重考虑其振荡波形上的overshoot毛刺对CPU时序带来的问题！要求不高的地方，其实不必要太考虑，基本电路余量，合理配搭，组件参数，LAYOUT做好就足够了！
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Question 23
HT82A851R 做为USB设备，哪些USB事件可使SIE向MCU发出中断请求？如何识别是哪种USB事件产生了中断？
Answer
HT82A851R 做为USB设备，有以下USB事件可使SIE向MCU发出中断请求。
1．USB休眠（SUSPEND）。
2．USB复位（RESET）。
3．USB恢复（RESUME）。
4．USB各个端点被访问(ACCESS)。
以上USB事件产生中断时，可通过以下方法来识别：
1．当USB进入休眠状态时，USC（20H） 缓存器之bit0（SUSP位）会被SIE设置为1，并产生USB中断，在USB中断服务程序中只要看到此位为1，就知道是USB休眠事件产生了中断。
2．当USB发生复位时，USC（20H） 缓存器之bit2（URST位）会被SIE设置为1，并产生USB中断，在USB中断服务程序中只要看到此位为1，就知道是USB因复位而产生了中断。
3．当USB离开休眠而被恢复（RESUME）时，USC（20H） 缓存器之bit3（RESUME位）会被SIE设置为1，并产生USB中断，在USB中断服务程序中只要看到此位为1， 就知道是USB因RESUME而产生了中断。
4．当HT82A851R 的端点0~端点4，任何一个端点被访问时，均可产生USB中断，其相应的中断旗标元EP0F~EP4F（USR （21H）缓存器之bit0~bit4））会被SIE设置为1， 在USB中断服务程序中查看相应的旗标，就知道是那个端点发生了中断。
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Question 24
Phone MCU系列的看门狗时钟(WDT)有那些选择？
Answer
Phone的看门狗时钟(WDT)在掩模选项(Mask Option)中有四种选择：
1. 使用WDT OSC，其时钟周期在5伏特时约 78µs，看门狗时钟产生溢位(WDT overflow)的时间为 78µs x 2(WS2WS1WS0)+9，例如：WS2,WS1,WS0=7，则看门狗时钟溢位(WDT overflow)的时间为78µs x 27+9 = 5.11s。
2. 使用T1 (四分之一系统频率)，其时钟周期在Normal Mode高频模式为1.117µs x 29 ，在Green Mode低频模式为122.07µs x 29 , 在Sleep及Idle省电模式下将不会有动作，而看门狗时钟产生溢位(WDT overflow)的时间为 T1 x 2(WS2WS1WS0)+9。
3. 使用32768Hz，其时钟周期在Normal Mode高频模式、Green Mode低频模式、Sleep省电模式皆为 30.52µs x 29，在Idle省电模式下不会有动作，而看门狗时钟产生溢位(WDT overflow)的时间为 30.52 x 2(WS2WS1WS0)+9。
4. 不使用看门狗时钟 (WDT Disable)。
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Question 25
HT48FXXE内嵌有EEPROM,微控制器在正常工作中是如何对其进行读/写的?
Answer
微控制器是通过EECR缓存器(在Bank1的40H地址)来控制的。
通过读写EECR缓存器,控制EEPROM的CS、SK和DI/DO信号，以软件的方式 |
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