二极管的击穿

只看该作者 · 2009-4-20 10:06

书上讲，二极管具有单向导通能力，接反向电压时，电流很小，但是当反向电压超过其能承受能力，将产生数值很大的反向击穿电流，二极管被击穿，
齐纳击穿雪崩击穿，

这个击穿，是一定彻底坏了吗？郁闷，如果不是，为什么要用“击穿”？

只看该作者 · 2009-4-20 13:23

1111111111

2万 · 2009-4-20 13:27

只看该作者 · 2009-4-20 15:30

只看该作者 · 2009-4-20 18:00

当该二极管击穿时的功率不高于允许的最大功率时,属于齐纳击穿,取消电压后,可以恢复特性,照常使用,如果击穿时的功率高于允许的最大功率时,属于雪崩击穿,会造成永久性损坏!

4万 · 2009-4-20 21:31

只看该作者 · 2009-4-20 23:44

只要不是烧了变质就行了

只看该作者 · 2009-4-21 13:20

6楼说的与5楼就不相同。。。

3万 · 2009-4-21 13:38

那你就要分析了。
分析的基础，是PN结的工作原理。

2万 · 2009-4-21 13:53

由于低搀杂管的耗尽层较厚，能承受较高的反向电压。但当反向电压加到一定程度后，其中微小的漏电流（电子）在强大的电场作用下撞击晶格，致使晶格中的束缚电子摆脱出来加入漏电流中去。这样一来增大的漏电流反过来又去激发出更多的束缚电子，便形成了一种类似“雪崩”的反向导通效应。但只要适当的控制其电流，使其功耗在适当的范围内，是不会损坏管子地。

2万 · 2009-4-21 13:53

由于低搀杂管的耗尽层较厚，能承受较高的反向电压。但当反向电压加到一定程度后，其中微小的漏电流（电子）在强大的电场作用下撞击晶格，致使晶格中的束缚电子摆脱出来加入漏电流中去。这样一来增大的漏电流反过来又去激发出更多的束缚电子，便形成了一种类似“雪崩”的反向导通效应。但只要适当的控制其电流，使其功耗在适当的范围内，是不会损坏管子地。

2万 · 2009-4-21 14:01

2万 · 2009-4-21 14:03

只看该作者 · 2009-4-21 16:52

so helpful,

只看该作者 · 2009-4-21 23:26

为什么低掺杂的PN结的耗尽层要厚呢？如果是一个重掺杂的，那么其由于扩散作用也就越强，这样形成的耗尽层也会越厚，相反，低掺杂的情况下，由于P、N区的载流子的中和作用形成的耗尽层也会薄些啊。哪里错了呢？
希望HWM能够帮忙释疑。

2万 · 2009-4-22 08:10

其实耗尽层是“多子”密度梯度和“少子”电势梯度（电场）平衡的产物。由于重掺杂，多子密度较大，只需“少量体积”的多子越界就可以形成较强的反向电场，形成动态平衡。这里所谓的“少量体积”相对于耗尽层来说就是厚度较薄。由此可见，反之，对于低掺杂的情况耗尽层较厚。

具体参考有关书籍，其中有根据“密度梯度”和“电势梯度”得出的平衡式（虽然是经典解释而非量子的但也能说明问题）。

只看该作者 · 2009-6-26 14:31

不影响稳压就行，加到几K

只看该作者 · 2009-7-30 17:50

稳压管不能仅仅只看稳压电压，还要注意功耗。教材里都讲过这个问题的。

-85 · 2009-8-2 16:33

顶，
学习

只看该作者 · 2009-8-3 09:50

“稳压管不能仅仅只看稳压电压，还要注意功耗。”

还有一点：稳压管必须流过合适的电流才能工作在比较理想的状态。

二极管的击穿

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1

控制好电流就不会损坏，稳压管便是一例。

ok

二极管的击穿理解

高电压的稳压管主要工作在雪崩击穿状态

这部分好像不难理解

6楼说的

6楼说的与5楼就不相同 。。。

雪崩击穿主要是相对于低搀杂管而言

雪崩击穿主要是相对于低搀杂管而言

嗯，咋一箭双雕了呢？再试一下。

有刷屏的嫌疑，哈

hwm is so good, thx a lot

问个比较低级的问题。

回15楼：

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6楼说的与5楼就不相同。。。