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请问MOS管的GS之间的外置泄放电阻取值计算方法

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楼主
Nivans|  楼主 | 2015-11-8 16:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
maychang| | 2015-11-8 16:13 | 只看该作者
这些电荷通常不是靠“外置泄放电阻”放掉的。

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kingTek 2015-11-9 11:13 回复TA
maychang老先生说的很正确,这些电荷的确一般都是有源器件泄放,单靠电阻泄放会滋生一些问题的。 
板凳
Nivans|  楼主 | 2015-11-8 19:26 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-11-8 16:13
这些电荷通常不是靠“外置泄放电阻”放掉的。

那做逆变电源的时候,为何开关MOS管要加这个,网上有很多电路都加了这个。但就是不知道怎样确定这个电阻的阻值。

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地板
maychang| | 2015-11-8 19:36 | 只看该作者
既然你搜到“网上有很多电路都加了这个”,看看这些电路用多大电阻就行了。

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5
a370690317| | 2015-11-8 20:33 | 只看该作者
楼主可以参考下下面的**,上次看过了,MSO驱动设计里面写的最解渴的**了
.hwthinktank.com/articlexq.aspx?id=375&bid=21&tid=-1

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6
a370690317| | 2015-11-8 20:34 | 只看该作者
链接好像不能用  百度搜鼎阳硬件智库 ---原创**----Mos管驱动电路设计

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7
Nivans|  楼主 | 2015-11-8 21:21 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-11-8 19:36
既然你搜到“网上有很多电路都加了这个”,看看这些电路用多大电阻就行了。 ...

参差不齐:'(

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8
jlhgold| | 2015-11-8 21:52 | 只看该作者
开关电源?你说的是rcd么?

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9
Jack315| | 2015-11-9 00:53 | 只看该作者
假设工作在开关状态,大体的计算思路如下:
1. 驱动信号源内阻与 R39 的分压电压应大于MOS管 (GS) 的开启电压,小于击穿电压。
2. 截止到导通的过程,此时 Cgs  与 R39 并联,再与驱动信号源内阻串联。驱动信号源对 Cgs 充电,充电时间应小于要求的信号上升时间。
3. 导通到截止的过程,此时 Cgs  与 R39 以及驱动信号源内阻并联。Cgs 通过 R39 与驱动信号源内阻的并联电阻放电,放电时间应小于要求的信号下降时间。

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10
xieyuanfu| | 2015-11-9 09:20 | 只看该作者
那个电阻 应该在100K以上吧

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11
Siderlee| | 2015-11-9 09:46 | 只看该作者
Nivans 发表于 2015-11-8 19:26
那做逆变电源的时候,为何开关MOS管要加这个,网上有很多电路都加了这个。但就是不知道怎样确定这个电阻 ...

1)miller effect

2)ESD

目前我感觉就这两个

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12
Nivans|  楼主 | 2015-11-9 10:04 | 只看该作者
那有可能是原作根据米勒效应搞出来的。。。

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13
xygyszb| | 2015-11-9 10:20 | 只看该作者
a370690317 发表于 2015-11-8 20:33
楼主可以参考下下面的**,上次看过了,MSO驱动设计里面写的最解渴的**了
.hwthinktank.com/articlexq.a ...

贴错链接了。

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14
xygyszb| | 2015-11-9 10:47 | 只看该作者
我认为R39有以下几点作用:
1、配置MOS管驱动端的初始状态,MOS是靠电压驱动的,因此要给一个初始电平。
2、加速MOS管的关断时间。R39起到泄放电阻的作用,可以加速MOS管关断。
3、楼上说的弥勒效应,应该是指Cdg(漏极和栅极间的电容),在栅极电压达到一个值V1时,漏源导通,栅极电压开始高于漏极电压,这个时候栅极上的电压需要给栅极和漏极间的电容Cdg充电,需要维持t1时间。这个t1时间产生的过程可以成为弥勒效应。

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15
maychang| | 2015-11-9 11:42 | 只看该作者
Nivans 发表于 2015-11-9 10:04
那有可能是原作根据米勒效应搞出来的。。。

你首帖 GATE CHARGE SPECIFICATIONS 第二行,Gate Change at 10V ,典型值是35nC,测试条件是gate从0V变化为10V。
最粗略地估算,假定你的GS之间电阻为10k欧,那么平均电流1mA,要充电35nC需要35us。注意这是MOS管从关断变为开通所需要的时间,也就是电流脉冲的上升沿。
首帖你并没有说明该电路工作频率。若是用MOS管作为电源开关,这么长的时间是可以接受的。
但3楼你说是逆变电源,那么35us的上升沿绝对不能接受。逆变工作,一个开关周期是多少?怎么能够允许35us上升沿?

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16
edanzg| | 2015-11-9 12:24 | 只看该作者
这个对地电阻,在我看来,是防止 静态 或者驱动电路出现故障的时候,mosfet自行导通, 确切的讲,应该是个偏置电阻吧。 高速开关场合还是得靠有源器件关断。

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xuplastic 2015-11-14 10:21 回复TA
正解 
17
xygyszb| | 2015-11-9 13:55 | 只看该作者
另外:手册上是不会直接给出Cgs、Cds、Cgd的,这些值你必须根据其他的参数来换算。一般给出的有:Ciss、Cos、Crss。
Cgd=Crss;
Cgs=Ciss-Crss;
Cds=Coss-Crss;
Crss的值越小越好,说明同使用条件下MOS管的开关损耗越低。

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18
Nivans|  楼主 | 2015-11-11 13:21 | 只看该作者
a370690317 发表于 2015-11-8 20:34
链接好像不能用  百度搜鼎阳硬件智库 ---原创**----Mos管驱动电路设计

谢谢

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19
Nivans|  楼主 | 2015-11-11 13:30 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-11-9 11:42
你首帖 GATE CHARGE SPECIFICATIONS 第二行,Gate Change at 10V ,典型值是35nC,测试条件是gate从0V变 ...

那,首贴的数据是IRF540N的。。。如果要做逆变的输出级要更换MOS管么?打算用SPWM驱动

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maychang| | 2015-11-11 13:34 | 只看该作者
Nivans 发表于 2015-11-11 13:30
那,首贴的数据是IRF540N的。。。如果要做逆变的输出级要更换MOS管么?打算用SPWM驱动 ...

管子型号,也许需要换,也许不需要。
无论哪种开关电源(逆变是开关电源的一种),管子的选择要看需要承受多大电压、需要通过多大电流……哪能“如果要做逆变的输出级要更换MOS管么?”

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