请问MOS管的GS之间的外置泄放电阻取值计算方法

登录 · 发表于 2015-11-8 16:03

R39为泄放电阻。目前，手册只给出这些电量的信息。

发表于 2015-11-8 16:13

这些电荷通常不是靠“外置泄放电阻”放掉的。

发表于 2015-11-8 19:26

maychang 发表于 2015-11-8 16:13
这些电荷通常不是靠“外置泄放电阻”放掉的。

那做逆变电源的时候，为何开关MOS管要加这个，网上有很多电路都加了这个。但就是不知道怎样确定这个电阻的阻值。

发表于 2015-11-8 19:36

既然你搜到“网上有很多电路都加了这个”，看看这些电路用多大电阻就行了。

发表于 2015-11-8 20:33

楼主可以参考下下面的**，上次看过了，MSO驱动设计里面写的最解渴的**了
.hwthinktank.com/articlexq.aspx?id=375&bid=21&tid=-1

发表于 2015-11-8 20:34

链接好像不能用百度搜鼎阳硬件智库 ---原创**----Mos管驱动电路设计

发表于 2015-11-8 21:21

maychang 发表于 2015-11-8 19:36
既然你搜到“网上有很多电路都加了这个”，看看这些电路用多大电阻就行了。 ...

参差不齐:'(

发表于 2015-11-8 21:52

开关电源？你说的是rcd么？

发表于 2015-11-9 00:53

假设工作在开关状态，大体的计算思路如下：
1. 驱动信号源内阻与 R39 的分压电压应大于MOS管 (GS) 的开启电压，小于击穿电压。
2. 截止到导通的过程，此时 Cgs 与 R39 并联，再与驱动信号源内阻串联。驱动信号源对 Cgs 充电，充电时间应小于要求的信号上升时间。
3. 导通到截止的过程，此时 Cgs 与 R39 以及驱动信号源内阻并联。Cgs 通过 R39 与驱动信号源内阻的并联电阻放电，放电时间应小于要求的信号下降时间。

发表于 2015-11-9 09:20

那个电阻应该在100K以上吧

发表于 2015-11-9 09:46

Nivans 发表于 2015-11-8 19:26
那做逆变电源的时候，为何开关MOS管要加这个，网上有很多电路都加了这个。但就是不知道怎样确定这个电阻 ...

1)miller effect

2)ESD

目前我感觉就这两个

发表于 2015-11-9 10:04

那有可能是原作根据米勒效应搞出来的。。。

发表于 2015-11-9 10:20

a370690317 发表于 2015-11-8 20:33
楼主可以参考下下面的**，上次看过了，MSO驱动设计里面写的最解渴的**了
.hwthinktank.com/articlexq.a ...

贴错链接了。

发表于 2015-11-9 10:47

我认为R39有以下几点作用：
1、配置MOS管驱动端的初始状态，MOS是靠电压驱动的，因此要给一个初始电平。
2、加速MOS管的关断时间。R39起到泄放电阻的作用，可以加速MOS管关断。
3、楼上说的弥勒效应，应该是指Cdg（漏极和栅极间的电容），在栅极电压达到一个值V1时，漏源导通，栅极电压开始高于漏极电压，这个时候栅极上的电压需要给栅极和漏极间的电容Cdg充电，需要维持t1时间。这个t1时间产生的过程可以成为弥勒效应。

发表于 2015-11-9 11:42

Nivans 发表于 2015-11-9 10:04
那有可能是原作根据米勒效应搞出来的。。。

你首帖 GATE CHARGE SPECIFICATIONS 第二行，Gate Change at 10V ，典型值是35nC，测试条件是gate从0V变化为10V。
最粗略地估算，假定你的GS之间电阻为10k欧，那么平均电流1mA，要充电35nC需要35us。注意这是MOS管从关断变为开通所需要的时间，也就是电流脉冲的上升沿。
首帖你并没有说明该电路工作频率。若是用MOS管作为电源开关，这么长的时间是可以接受的。
但3楼你说是逆变电源，那么35us的上升沿绝对不能接受。逆变工作，一个开关周期是多少？怎么能够允许35us上升沿？

发表于 2015-11-9 12:24

这个对地电阻，在我看来，是防止静态或者驱动电路出现故障的时候，mosfet自行导通，确切的讲，应该是个偏置电阻吧。高速开关场合还是得靠有源器件关断。

发表于 2015-11-9 13:55

另外：手册上是不会直接给出Cgs、Cds、Cgd的，这些值你必须根据其他的参数来换算。一般给出的有：Ciss、Cos、Crss。
Cgd=Crss；
Cgs=Ciss-Crss；
Cds=Coss-Crss；
Crss的值越小越好，说明同使用条件下MOS管的开关损耗越低。

发表于 2015-11-11 13:21

a370690317 发表于 2015-11-8 20:34
链接好像不能用百度搜鼎阳硬件智库 ---原创**----Mos管驱动电路设计

谢谢

发表于 2015-11-11 13:30

maychang 发表于 2015-11-9 11:42
你首帖 GATE CHARGE SPECIFICATIONS 第二行，Gate Change at 10V ，典型值是35nC，测试条件是gate从0V变 ...

那，首贴的数据是IRF540N的。。。如果要做逆变的输出级要更换MOS管么？打算用SPWM驱动

发表于 2015-11-11 13:34

Nivans 发表于 2015-11-11 13:30
那，首贴的数据是IRF540N的。。。如果要做逆变的输出级要更换MOS管么？打算用SPWM驱动 ...

管子型号，也许需要换，也许不需要。
无论哪种开关电源(逆变是开关电源的一种)，管子的选择要看需要承受多大电压、需要通过多大电流……哪能“如果要做逆变的输出级要更换MOS管么？”

请问MOS管的GS之间的外置泄放电阻取值计算方法

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