意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTM K5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。
新产品瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是最大限度减少断电停机时间的关键要素，电焊、工厂自动化等工业自动化应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高，超结MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。 意法半导体的MDmesh K5功率MOSFET系列将此项技术提升至一个全新的水平，单位面积同态电阻(Rds(on))和栅电荷量(Qg)均创市场最低，并拥有业界最佳的FoM(质量因数)。新产品是时下主流电源拓扑的理想选择，包括标准准谐振(quasi-resonant)有源钳位反激式转换器以及LLC半桥式转换器，均需要宽输入电压、高能效(高达96%)以及输出功率近200W的电源。 该系列先推出的两款产品是STW12N150K5和STW21N150K5，其最大漏源电流分别达到7A和14A，栅电荷量仅为47nC(STW12N150K5)或通态电阻仅为0.9Ω(STW21N150K5)。两款产品均已量产，采用TO-247封装。
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