关于STM32的FLASH写入问题，请教。

发表于 2015-11-16 17:45

比如FLASH的某个地址已经写成FFF0，不擦除，这个地址再次写入FF00，那么结果到底是哪个呢？多谢各位。

发表于 2015-11-16 17:51

要是有人方便的话，可以帮忙做个试验吗？

发表于 2015-11-16 18:00

FF00
由于 FLASH 的写入机制相对于是对0写入, 对1忽略, 所以其结果为原来的值 & 写入的值

发表于 2015-11-16 19:09

为什么要别人试呢？你自己不能试一下？

发表于 2015-11-16 20:14

写flash不是应该先擦除的吗

发表于 2015-11-16 20:19

不擦除，能写成功么？可以试试铁电的存储器。

发表于 2015-11-17 08:07

对于Flash的某一位，编程就是置0，擦除就是置1.
如果它本来就是1，那么擦不擦除其实无所谓，直接编程（置0）是没问题的。
如果它是0，那么没办法，只能把它擦除来变成1.
所以，能不能不擦除就写入，关键是看你想写入什么值。

发表于 2015-11-17 12:21

1写成0可以不擦

发表于 2015-11-17 16:50

airwill 发表于 2015-11-16 18:00
FF00
由于 FLASH 的写入机制相对于是对0写入, 对1忽略, 所以其结果为原来的值 & 写入的值 ...

确定吗？那为什么我这里测试的结果是FFF0呢，难道我使用的擦写函数有问题？

发表于 2015-11-17 16:51

diweo 发表于 2015-11-17 08:07
对于Flash的某一位，编程就是置0，擦除就是置1.
如果它本来就是1，那么擦不擦除其实无所谓，直接编程（置0 ...

写入的值是第一次FFF0，第二次是FF00，你觉得结果应该什么呢？

发表于 2015-11-17 16:52

diweo 发表于 2015-11-16 19:09
为什么要别人试呢？你自己不能试一下？

我这里让工程师测试的结果是FFF0，但我认为应该是FF00才是正确的，不知道是否我这里的擦写函数有问题，所以才让大家帮忙验证一下。

发表于 2015-11-17 16:53

crystal1987 发表于 2015-11-16 20:19
不擦除，能写成功么？可以试试铁电的存储器。

我的理论依据是1写成0不用擦除，所以想试试不擦除能否写成功。

发表于 2015-11-17 18:31

小管发表于 2015-11-17 16:50
确定吗？那为什么我这里测试的结果是FFF0呢，难道我使用的擦写函数有问题？ ...

确定, 估计你的写操作没有成功

发表于 2015-11-17 18:50

这个地址再次写入FF00，那么结果到底是，换算成二进制对比一下，看看咋回事，两次只要一次为1的是就是1

发表于 2015-11-17 21:09

airwill 发表于 2015-11-17 18:31
确定, 估计你的写操作没有成功

那回头让工程师再仔细检查一下程序。我的结论也是很你一样的，但我们工程师实际测试的结果竟然不符合FLASH的原理，要么就有可能被STM32内部给“劫胡”，要么就是被写操作函数给“劫胡”了。

发表于 2015-11-17 21:11

捉虫天师发表于 2015-11-17 18:50
这个地址再次写入FF00，那么结果到底是，换算成二进制对比一下，看看咋回事，两次只要一次为1的是就是1 ...

你好像搞反了，写FLASH是把1写成0，擦除则把0写成1。

发表于 2015-11-18 09:04

小管发表于 2015-11-17 16:53
我的理论依据是1写成0不用擦除，所以想试试不擦除能否写成功。

如果你使用的是STM32的FLASH，我确定不行，因为之前测试的时候因为没有擦除，写不进去。不过铁电存储器是可以的。估计STM32的FLASH是加了擦除限值的。

发表于 2015-11-23 12:23

crystal1987 发表于 2015-11-18 09:04
如果你使用的是STM32的FLASH，我确定不行，因为之前测试的时候因为没有擦除，写不进去。不过铁电存储器是 ...

你的回答和airwill版主不同啊，不知谁能验证一下吗？

发表于 2015-11-23 13:00

写IAP时，测试好几种型号的STM32芯片，都需要先擦除，然后才能正确写；

发表于 2015-11-24 08:51

小管发表于 2015-11-23 12:23
你的回答和airwill版主不同啊，不知谁能验证一下吗？

这个是验证过的，当时写进去读出来的数据不对，后来擦除后才写进去的。

[STM32F0] 关于STM32的FLASH写入问题，请教。