关于这个电路的两个小问题

只看该作者 · 2009-7-30 09:03

书上分析说这个电路中：
“当Rc超过100K以上时，会使交流增益下降或发生振荡，于是可以在Rc两端并接一电容Cc。此值大小虽无严格要求，但Rc*Cc的时间常数通常要发比R1C1大一些。只要R1C1的时间常数选择适当，不但可以避免电源噪声的干扰，还可以免去调零。”

我的问题在这里：
1、为什么Rc太大会使得交流增益下降？
2、为什么Rc太大了会引起振荡？
3、一般地，对于最基本的反相放大器，同相端接电容不影响其反馈系数，也不会改变运放的开环增益，那么这个电容对电路的影响是什么呢？是不是对其传递函数没有影响呢？
4、按上面的分析，为什么在R1C1的时间常数取得合适时，可抗噪，还可以不用调零呢？

问题比较多，谢谢大家的回答。

只看该作者 · 2009-7-30 12:20

3万 · 2009-7-30 12:53

估计图画错了。

只看该作者 · 2009-7-30 13:00

早上匆忙中画的图，不小心把同相反相端给连错了。对不住大家了

改后的图在这

只看该作者 · 2009-8-3 15:52

1.运放采用差分结构，单端输入时，内部输入管以双极为例的话。一条信号从集电极流出，另一条信号从发射级流出构成共基结构，RC太大，必然会减小共基的交流增益。
2.Rc太大了会引起振荡？对于此问题，要看那种运放结构，普通运放一般为一阶弥勒补偿，高速，高带宽的零级点较多。对于那些多零级点的，增益的改变的确会导致相位预度不够
3.接入电容，运放的开环传递函数是改变的。但由于电容接在基级，此管又工作在共基状态，会产生频率较大的零级点，但几乎不会影响到带宽（如果Cc不是太大的话）
4.避免电源噪声的干扰：是因为R1C1产生零点，会使系统对某一频率段的电源抑制比增强

只看该作者 · 2009-8-4 19:21

谢谢runfish的回答。本来还以为这个帖子会沉下去呢。

针对于你的回答，我有几个疑问，希望你能再帮忙解答。先谢谢了。
1、“高速，高带宽的零级点较多”。这句话应该怎么理解呢？我只知道，运放中密勒补偿电容如果太大的话，其速度会变小，为什么说零点多的话速度就会高、带宽就会宽呢？
2、对于“接入电容，运放的开环传递函数是改变的。但由于电容接在基级，此管又工作在共基状态，会产生频率较大的零级点，但几乎不会影响到带宽（如果Cc不是太大的话）”。如果Rc = 100k,Cc=20pF，根据共基电路的增益计算式：
A=(belta*Rc)/[rbe+Rc//(1/sCc)+(1+belta)Re]
计算出来的极点的频率近似为（忽略Re的情况下）1/(2*PI*Rc*Cc)＝80KHZ，这个极点频率不是很大，应该会影响带宽吧？
3、为什么产生零点会使电源抑制比增强呢？

这么多问题，还望你能回答。谢谢了

只看该作者 · 2009-8-5 08:27

1.一般都采用超前补偿结构，但也有一些适当的结构采用滞后补偿，采用零点抵消主极点结构。
2.不仅产生了极点，也有零点，如果满足rbe>>Rc的话，零极点很近，可抵消；
3.看一下datasheet上的电源抑制比的波形图，，随着频率的升高，极点使电源抑制比减弱，零点是电源抑制比增强。输入端加电容也是为了提高电源抑制比，只不过一个在反馈上，一个在开环增益上。