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烧写Flash的时候时钟设置的问题

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楼主
598835484|  楼主 | 2015-11-18 17:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, 时钟, 烧写, 调试, RAM
在RAM调试的时候没问题。用的是DELAY_US调用  设置的是1000000us也就是一秒，在RAM里调试没问题。烧写到Flash里的时候  设置的是150MHZ系统时钟，4分频，然后调试的时候发现时间不对了，慢很多。这是什么情况，是因为分频设置的问题吗？

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沙发
zhangmangui| | 2015-11-18 21:57 | 只看该作者
这是肯定的    RAM和flash中执行的效率不一样  
建议你进行代码搬移吧   
也就是将flash的代码搬移到RAM中运行   提供效率

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板凳
littler| | 2015-11-18 22:31 | 只看该作者
烧写Flash的话，因为flash完成编程需要时间，可能比较慢

如果是程序在Flash中运行可能比较慢，开cache可能会好些

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地板
haolaishi| | 2015-11-19 15:22 | 只看该作者
littler 发表于 2015-11-18 22:31
烧写Flash的话，因为flash完成编程需要时间，可能比较慢

如果是程序在Flash中运行可能比较慢，开cache可能 ...

学习了，原来是flash编程出现的问题，我以为是代码被优化了呢

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5楼
haolaishi| | 2015-11-19 15:26 | 只看该作者
zhangmangui 发表于 2015-11-18 21:57
这是肯定的    RAM和flash中执行的效率不一样  
建议你进行代码搬移吧   
也就是将flash的代码搬移到RAM中 ...

RAM和flash中执行的效率不一样  ，为什么呢？现在好多程序都是放在flash中启动的

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6楼
zhangmangui| | 2015-11-19 21:33 | 只看该作者
haolaishi 发表于 2015-11-19 15:26
RAM和flash中执行的效率不一样  ，为什么呢？现在好多程序都是放在flash中启动的 ...

这个肯定是速度绝对的啊      RAM中交换数据和flash中速度差距是很大的
存储代码肯定在flash中   但是芯片内部有RAM
可以在启动后将flash中的代码搬移到RAM中去执行

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7楼
随机| | 2015-11-20 09:40 | 只看该作者
我也是遇到楼主同样的问题。不懂事不是下载方式错了。

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8楼
598835484|  楼主 | 2015-11-20 10:46 | 只看该作者
zhangmangui 发表于 2015-11-19 21:33
这个肯定是速度绝对的啊      RAM中交换数据和flash中速度差距是很大的
存储代码肯定在flash中   但是芯 ...

是设定DSP内部自动搬迁吗？烧写到flash里面，以后他会搬迁到ram里进行执行？

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9楼
zhangmangui| | 2015-11-20 12:00 | 只看该作者
598835484 发表于 2015-11-20 10:46
是设定DSP内部自动搬迁吗？烧写到flash里面，以后他会搬迁到ram里进行执行？ ...

查看我分享的帖子
https://bbs.21ic.com/icview-952328-1-1.html

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10楼
598835484|  楼主 | 2015-11-20 19:24 | 只看该作者
zhangmangui 发表于 2015-11-20 12:00
查看我分享的帖子
https://bbs.21ic.com/icview-952328-1-1.html

谢谢版主

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11楼
lwsn| | 2015-11-22 20:26 | 只看该作者
如果是程序在Flash中运行可能比较慢，开cache可能会好些

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12楼
Thor9| | 2015-11-23 10:37 | 只看该作者
flash的代码运行时，还是得搬移到RAM中的吧

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13楼
comeon201208| | 2015-11-23 12:39 | 只看该作者
这个首先要保证适中的稳定性工作的。

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14楼
angerbird| | 2015-11-23 16:31 | 只看该作者
这个就很正常的，你的150MHz的时钟所采用的时钟源存在误差的。

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15楼
FireRiver9| | 2015-11-24 19:56 | 只看该作者
flash完成编程需要时间，会比较慢

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