NXP 的 ESD 保护器件与传统齐纳管/二极管相比的 12 条优势
1. 由于大规模集成电路的需要，导致芯片越做越小，加工工艺的发展使硅晶氧化层越做越薄，使 IC 对一些低电压的干扰也很敏感（一些较低的电压也会造成 IC 损坏），传统的齐纳管/二极管很难对低电压进行箝位，而 NXP 的 ESD 器件可以做到很低的箝位电压。
2. NXP 的 ESD 保护器件具有较大的结面积，使得它具有更好的高压承受能力，及泄放瞬态大电流的优点，更好地应对冲击电流。
3. NXP 的 ESD 保护器件具有极快的响应时间（远小于 1ns）, 使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，
4. NXP 的 ESD 保护器件具有极低的线电容, 避免因线电容过高，影响数据传输，造成数据失真。
5. NXP 的一些 ESD 保护器件具有集成 EMI 滤波和 RFI 防护等功能，不但减少设计所采用的器件数目降低成本，而且避免了 PCB 布板时线间的寄生电感，非常适用于高速通信（如 USB2.0，AGP 等）。
6. NXP 的 ESD 保护器件具有极低的漏电流，适合低功耗系统。
7. NXP 的 ESD 保护器件在几千次高电平的 ESD 冲击之后性能不会退化。 对于传统齐纳管/二极管，经历数千次冲击后，结短路、氧化层击穿或元件金属层的熔化会导致故障。有一点非常重要，即遭 ESD 损坏的器件可能并不会立即失效。一些器件参数老化会导设备过早失效，或者在某些特殊场合下失效。
8. 能够处理高峰值的 ESD 电流。
9. 可以对抗 8kV 的接触式放电，及 15kV 的气隙放电。
10. 提供多种超小封装，满足便携式产品的需要。
11. 完全通过 IEC 61000-4-2,level 4 认证。
12. 完全通过 HBM MIL-Std 883, class 3 认证。
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