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[牛人杂谈]

有关晶振的一些术语

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楼主
小小虾米__|  楼主 | 2015-12-18 16:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
1.振动模式
一般有弯曲、伸缩、面切变、厚度切变,对于1MHz以上的小型晶体主要是厚度切变,又分为AT切和BT切两种。
2.基频晶体元件
振子设计工作在给定振动模式的最低阶次上的晶体元件。
3.泛音晶体元件
振子设计工作在比给定模式最低阶次要高的阶次上的晶体元件,一般有3次、5次和7次泛音。泛音后输出频率加倍。
4.负载谐振频率偏置
△fL=fL-fr
5.谐振频率fr
在规定的工作条件下,晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个频率。
6.反谐振频率fa
在规定条件下,晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较高的一个频率。
7.负载谐振频率fL
在规定条件下,晶体元件与一负载电容串联或并联,其组合阻抗为电阻性的两个频率中的一个频率。
8.标称频率
晶体元件规范(或合同)指定的频率。
9.工作频率
晶体元件与其配合的电路实际工作的频率。
10. 总频差
由于指定或多种原因引起的工作频率相对于标称频率的最大允许偏差。主要由调整频差和温度频差构成。
11. 调整频差
在规定条件下,基准温度时工作频率相对标称频率的允许偏离。
12. 温度频差
在整个工作温度范围内,相对于基准温度时,工作频率的允许偏离。
13.基准温度
一般指±25℃±2℃,对温控晶体元件是指控温范围的中点。
14. 谐振电阻
晶体元件在谐振频率fr时的电阻值。
15.负载谐振电阻RL
晶体元件与一指定的外部电容相串联,在负载谐振频率fL时的电阻值。
16.激励电平
是一种用耗散功率表示的施加于晶体元件的激励状态的度量。
17.负载电容CL
与晶体元件一起决定负载谐振频率的外置有效外界电容。
18.动态电容C1
等效电路中动态(串联)臂中的电容。
19.动态电感L
等效电路中动态臂里电感。
沙发
玛尼玛尼哄| | 2015-12-19 15:40 | 只看该作者
⒈总频差:在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡
器频率与给定标称频率的最大频差。
说明:总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳
定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心,而对其他频
率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如:精密制导雷达。
⒉ 频率温度稳定度:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度
或带隐含基准温度的最大允许频偏。
fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
fTref =±MAX[|(fmax-fref)/fref|,|(fmin-fref)/fref|]
fT:频率温度稳定度(不带隐含基准温度)
fTref:频率温度稳定度(带隐含基准温度)
fmax :规定温度范围内测得的最高频率
fmin:规定温度范围内测得的最低频率
fref:规定基准温度测得的频率
说明:采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器,故
fTref指标的晶体振荡器售价较高。
⒊ 频率稳定预热时间:以晶体振荡器稳定输出频率为基准,从加电到输出频率小于规定
频率允差所需要的时间。
说明:在多数应用中,晶体振荡器是长期加电的,然而在某些应用中晶体振荡器需要
频繁的开机和关机,这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到(尤其是对于在苛刻环境中使
用的军用通讯电台,当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃~85℃),采用OCXO作为本
振,频率稳定预热时间将不少于5分钟,而采用DTCXO只需要十几秒钟)。


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板凳
玛尼玛尼哄| | 2015-12-19 15:40 | 只看该作者
⒋ 频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关
系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的,可用规定时限后
的最大变化率(如±10ppb/天,加电72小时后),或规定的时限内最大的总频率变化(如:
±1ppm/(第一年)和±5ppm/(十年))来表示。
说明:TCXO的频率老化率为:±0.2ppm~±2ppm(第一年)和±1ppm~±5ppm(十
年)(除特殊情况,TCXO很少采用每天频率老化率的指标,因为即使在实验室的条件下,温
度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化,因此这个指标失
去了实际的意义)。OCXO的频率老化率为:±0.5ppb~±10ppb/天(加电72小时后),±
30ppb~±2ppm(第一年),±0.3ppm~±3ppm(十年)。
⒌频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的
最小峰值改变量。
说明:基准电压为+2.5V,规定终点电压为+0.5V和+4.5V,压控晶体振荡器在+
0.5V频率控制电压时频率改变量为-110ppm,在+4.5V频率控制电压时频率改变量为+
130ppm,则VCXO电压控制频率压控范围表示为:≥±100ppm(2.5V±2V)。
⒍压控频率响应范围:当调制频率变化时,峰值频偏与调制频率之间的关系。通常用规
定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。
说明:VCXO频率压控范围频率响应为0~10kHz。
⒎频率压控线性:与理想(直线)函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量
度,它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。
说明:典型的VCXO频率压控线性为:≤±10%,≤±20%。简单的VCXO频率压控线性计
算方法为(当频率压控极性为正极性时):
频率压控线性=±((fmax-fmin)/ f0)×100%
fmax:VCXO在最大压控电压时的输出频率
fmin:VCXO在最小压控电压时的输出频率
f0:压控中心电压频率
⒏单边带相位噪声£(f):偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之
比。

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地板
quray1985| | 2015-12-19 19:49 | 只看该作者
咱们一般用的两个管脚的那叫晶体吧

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