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双极结晶体管比MOSFET更能抗击ESD损害吗？

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sener|  楼主 | 2009-8-4 15:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
ESD, MOSFET, 晶体管
双极结晶体管比MOSFET更能抗击ESD损害吗？请教大家。

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沙发
qiuming| | 2009-8-8 16:24 | 只看该作者
是的，主要是输入阻看啦，双极结晶体管比MOSFET小的多，抗击ESD就强啦.

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板凳
chunyang| | 2009-8-8 23:27 | 只看该作者
双极晶体管耐受ESD的能力是比MOS管强得多，这是因为双极晶体管是电流型器件，即使被击穿，只要击穿电流被限制在一定范围内不让二次击穿现象发生就不会损坏。MOS管则是电压型器件，一旦击穿就非常可能导致器件的永久损坏。至于输入阻抗，是果而不是因。

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地板
zhzhdao| | 2009-8-9 00:28 | 只看该作者
Mos是因为其特殊结构，有一个层Gate oxcide（栅氧），击穿之后，彻底歇菜了。

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5楼
iC921| | 2009-8-9 07:24 | 只看该作者
机理不一样。

在ESD面前，双极是钢板，MOS是玻璃。

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6楼
sener|  楼主 | 2009-8-20 14:42 | 只看该作者
谢谢楼上各位大侠！看来，并不是MOS管样样都比双极管好啊。

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7楼
bbyeah| | 2009-8-20 15:59 | 只看该作者
6# sener
除去低功耗因素，模拟电路中大多数情况下MOS管性能不如BJT

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8楼
ecook| | 2009-8-20 22:47 | 只看该作者
请问能不能详细说说呢？
7# bbyeah

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9楼
bbyeah| | 2009-8-21 01:49 | 只看该作者
速度，增益，以及对过驱动电压的要求上，BJT都比MOS的要求要高。
甚至是作为开关使用时，BJT开关的导通电阻也比MOS小
但是功耗，工艺，以及对于电源电压的要求限制了BJT的应用

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