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pspice场效应管模型如何修改

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eddy010|  楼主 | 2007-7-17 17:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
想用pspice做场效应管MTP2P50E和BUK456800的电路仿真,但是没有它们的模型,想用一个现成的管子修改一下,挑了一个F1020,edit pspice model后发现模型的描述看不太懂,不太明白怎么修改,还请达人帮忙啊! 
模型表述如下:
*POLYFET RF DEVICES
*FEB 15 1994
*PHONE:(805)484-4210; FAX:(805)494-3393  CONTACT:MR. S.K. LEONG
*HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, RF N-CHANNEL VERTICAL DMOS MOSFET
*TO GENERATE S PARAMETER MATCHING DATA SHEET, SET VG=3.58V FOR IDQ=800MA
*
*MODEL APPLICABLE FOR ALL F1B 4 DIE IN AP AND AK PACKAGE.  F1021 USE
*BELOW AS EXAMPLE.
*  NOTE:- HP/EESOF USES 'GATE DRAIN SOURCE' ORDER
*            ( ;D  G  S )
.SUBCKT F1021/PF  20  10  30
LG    10  11  0.87N
RGATE 11  12  0.61
CG    10  30  0.12P
CRSS  12  17  14.2P
CISS  12  14  130P
LS    14  30  0.09N
CS    14  30  0.06P
LD    17  20  0.75N
CD    20  30  0.45P
R_RC  16  17   8.2
C_RC  14  16   61P
MOS   13  12  14  14  F1021MOS L=1.1U W=0.24       ;D G S B LEVEL1
JFET  17  14  13      F1021JF                      ;D G S
DBODY 14  17          F1021DB                      ;P N
.MODEL F1021MOS NMOS (VTO=3 KP=1.7E-5 LAMBDA=0.1 RD=0.1 RS=0.09)
.MODEL F1021JF  NJF  (VTO=-6.8 BETA=0.2 LAMBDA=5)
.MODEL F1021DB  D    (CJO=192P RS=0.25 VJ=0.7 M=0.35 BV=65)
.ENDS

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沙发
eddy010|  楼主 | 2007-7-18 18:07 | 只看该作者

没人顶啊

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