各位前辈、大侠们好！
A331J的过流保护，DESAT端检测IGBT饱和压降。在IGBT开通时有一个消隐时间，就是IGBT关断到开通过程中，CE电压降到饱和电压的过程。而资料中说的消隐时间是“IGBT开通之后”，那么这个“IGBT开通之后”具体是指哪个时间点呢？
现在我做一个IGBT短路试验，将上桥短路，开通下桥。DESAT翻转电压是6.5V,充电电流240uA,消隐电容100pF,计算出消隐时间是2.7us。资料又说，如果IGBT开通的同时即同电源短路，即是我现在做的实验的这种情况，大约3us后开始软关断。不知这个“IGBT开通”指的具体是哪个时间？是芯片内部驱动电压开始输出的时刻还是IGBT开通后CE电压降到饱和压降的时刻？前一种还好，如果是第二种，时间就久了。我富士额定300A的模块，实验实测短路电流是1450A/us。2us还好没超过10倍，3us就很危险了，可能直接坏掉了，而此时消隐时间可能还没结束，那岂不是起不到保护的作用了？
以上请各位前辈和朋友们不吝赐教，谢谢！！ |
楼主
标题置顶
标题高亮
