想用pspice做场效应管MTP2P50E和BUK456800的电路仿真，但是没有它们的模型，想用一个现成的管子修改一下，挑了一个F1020，edit pspice model后发现模型的描述看不太懂，不太明白怎么修改，还请达人帮忙啊！
模型表述如下：
*POLYFET RF DEVICES
*FEB 15 1994
*PHONE:(805)484-4210; FAX:(805)494-3393 CONTACT:MR. S.K. LEONG
*HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, RF N-CHANNEL VERTICAL DMOS MOSFET
*TO GENERATE S PARAMETER MATCHING DATA SHEET, SET VG=3.58V FOR IDQ=800MA
*
*MODEL APPLICABLE FOR ALL F1B 4 DIE IN AP AND AK PACKAGE. F1021 USE
*BELOW AS EXAMPLE.
* NOTE:- HP/EESOF USES 'GATE DRAIN SOURCE' ORDER
* ( ;D G S )
.SUBCKT F1021/PF 20 10 30
LG 10 11 0.87N
RGATE 11 12 0.61
CG 10 30 0.12P
CRSS 12 17 14.2P
CISS 12 14 130P
LS 14 30 0.09N
CS 14 30 0.06P
LD 17 20 0.75N
CD 20 30 0.45P
R_RC 16 17 8.2
C_RC 14 16 61P
MOS 13 12 14 14 F1021MOS L=1.1U W=0.24 ;D G S B LEVEL1
JFET 17 14 13 F1021JF ;D G S
DBODY 14 17 F1021DB ;P N
.MODEL F1021MOS NMOS (VTO=3 KP=1.7E-5 LAMBDA=0.1 RD=0.1 RS=0.09)
.MODEL F1021JF NJF (VTO=-6.8 BETA=0.2 LAMBDA=5)
.MODEL F1021DB D (CJO=192P RS=0.25 VJ=0.7 M=0.35 BV=65)
.ENDS
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