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在这种情况下上拉和下拉电阻的阻值是多少？

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楼主
maxking|  楼主 | 2007-4-3 00:29 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
阻值, 下拉电阻, 场效应管, 端口, 上拉电阻
单片机端口接入场效应管的栅极，那么端口的上拉电阻和下拉电阻是怎样计算？场效应管型号为IRF640N，参数如图：

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沙发
computer00| | 2007-4-3 00:44 | 只看该作者

看你需要的速度,即开关时间.

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板凳
maxking|  楼主 | 2007-4-3 08:22 | 只看该作者

是不是VGS(th)达到最大值，即4V时，速度最大。

如果我需要最大值，I/O输出电压5V，上拉为10K，下拉2.5K，这样理论上就达到了。是不是这样，大家讨论讨论。

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地板
maychang| | 2007-4-3 08:34 | 只看该作者

回楼主

“是不是VGS(th)达到最大值，即4V时，速度最大”
速度最大？什么东西的速度？

“如果我需要最大值”
什么量的最大值？

估计楼主对 VGS(th) 这个量的理解有误。

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5楼
maxking|  楼主 | 2007-4-3 08:47 | 只看该作者

速度就是场效益管做开关的速度

最大值因为参数里有min和max的参数，达到max的值应该是最大值，这是我的理解。不知对否？

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6楼
eastbest| | 2007-4-3 09:18 | 只看该作者

开关速度受Cgs的影响

我的理解：电源通过电阻对Cgs充电，当电容上的电压超过VGS(th)时，MOS管就导通了；反之，Cgs通过电阻对地放电低于门限电压时，MOS就关断了。
电容的充电、放电是需要时间的，受RC即时间常数的影响。

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7楼
maychang| | 2007-4-3 10:04 | 只看该作者

果然

VGS(th) 是门限电压，指管子开始导通时，GS之间的电压，该电压与开关速度无关。

eastbest 说的是对的，但不完全。除GS之间电容外，还需要考虑米勒效应的电容，而这个电容比GS之间电容大得多。

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8楼
xwj| | 2007-4-3 10:08 | 只看该作者

呵呵，LZ理解有误

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9楼
maychang| | 2007-4-3 10:10 | 只看该作者

补充一句

要高速开关MOSFET管，靠上拉下拉电阻是不行的。高速开关需要对MOSFET的G极施加很强的驱动，通常单片机的口线驱动能力不足以驱动MOSFET，除非频率很低，且对MOSFET输出上升下降沿没有什么要求。

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