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我最近用2812外扩了1块FLASH，是三星的K9K8G08U0A，1GB，刚开始我为了调试方便，我新建了一个FLASH调试的工程，没有用到片内FLASH，程序和变量都是在RAM中的，调试结束后，外扩的FLASH三星K9K8G08U0A读写和擦除都没有问题，但是后来我把CMD换了FLASH的，读写外扩FLASH的程序烧写到片内FLASH中，外扩FLASH的读写就会发生错误，把读写程序通过MemCopy函数放入RAM中运行，读写还是会出错，在RAM中运行和FLASH中运行的程序除了速度略有差别外，还有什么不同吗？大侠们帮帮忙啊 |
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