我最近用2812外扩了1块FLASH,是三星的K9K8G08U0A,1GB,刚开始我为了调试方便,我新建了一个FLASH调试的工程,没有用到片内FLASH,程序和变量都是在RAM中的,调试结束后,外扩的FLASH三星K9K8G08U0A读写和擦除都没有问题,但是后来我把CMD换了FLASH的,读写外扩FLASH的程序烧写到片内FLASH中,外扩FLASH的读写就会发生错误,把读写程序通过MemCopy函数放入RAM中运行,读写还是会出错,在RAM中运行和FLASH中运行的程序除了速度略有差别外,还有什么不同吗?大侠们帮帮忙啊 |