52通信的问题

发表于 2009-8-17 09:01

最近做一个串口通信接受用iic通信存储到512中的设备。主要部分是89c52+24c512.
一次要传送接近64k的数据，从开始通信到全部存储完成要10几分钟的时间。
那位大虾能推荐一款其他的片子或者存储芯片，考虑过用39sf020，由于需要很少字节反复擦写，可能这个速度上也不会太快。最好能推荐个其他类型单片机，想借这个机会了解下其他类型单片机。。谢谢

发表于 2009-8-18 19:54

用到iic的通讯，我之前没用过，希望高手指点

发表于 2009-8-18 20:29

avr的MEGA系列的型号带有IIC接口，内部有EEP,速度快，可以考虑...

发表于 2009-8-18 22:02

速度的瓶颈在于串口波特率和存储器写入速度二者中的小值，I2C可以用普通IO模拟，只要编程工艺合适，MCU就不是速度的瓶颈，提高MCU的处理速度也就没有本质意义。当然，如果你的I2C模拟程序及串口通讯、存储器写入程序的工艺性不佳导致速度反而低于前述“小值”，这时换用更快的MCU才有意义，但优化程序也是解决之道，只是对程序编制者的要求更高而已。

发表于 2009-8-19 10:13

本帖最后由 wkatt1002 于 2009-8-19 10:21 编辑

谢谢大家
4# chunyang
chunyang大哥，我看我的程序里面通信应该已经没问题了，主要就是iic通信的问题，我在网上还有很多书上看到结束iic总线后总是用延时10ms释放总线。我感觉大部分时间都用在这个上面了，我一次写6000*8个字节，每个字节延时10ms的话，算下来要好长时间，有没有其他方法可以不用延时10ms？这个10ms是在总线结束程序后用的，如果不用的话，连续写入就会出错。iic里面SCL为高，SDL由低变好的结束程序不是真正意义上的结束么？？能给我解释下么？？

发表于 2009-8-19 15:02

10ms是写一页的时间，24C512一页=128字节。也就是按照标准RAM的写入速度写入128字节必须等待5—10ms内部固化时间。EEROM写入是需要时间的。算下来512K全部写满需要5分多钟。不算慢。

发表于 2009-8-19 23:06

本帖最后由 wkatt1002 于 2009-8-19 23:10 编辑

6# 冷漠十分感谢冷漠大哥，终于明白了怎么一会事，我找了好久没有找到要等待延时的原因。
假如我如果连续写入而不是每次启动iic总线只写一个字节的话就最多写入128个字节就要等待一次时间吗》？

发表于 2009-8-19 23:20

用SPI接口单片机和SPI FLASH，会速度快，容量大。

发表于 2009-8-20 12:36

本帖最后由 wkatt1002 于 2009-8-20 12:38 编辑

4# chunyang 谢谢chunyang大哥
还有个问题，iic通信有一个检测信号ack，这个检测信号不是在512写完一个字节而且固化完返回的嘛？还是iic总线已经结束之后才进行的固化？

发表于 2009-8-20 12:40

3# ningling_21
谢谢，avr有个spi总线，如果用spi总线是不是快些？

发表于 2009-8-20 12:46

8# zcl_l
avr和c68系列好像很多都有，能给我推荐款片子和存储器么？存储器要64k或者更大的，谢谢，，

发表于 2009-8-20 12:51

再快也没有用，EEPROM的写时间就限制住了啊，除非是铁电拉，那个东西写起来基本上不需要再考虑什么时间延迟拉。

39sf020应该是FLASH，这个东西也一样是慢啊，而且寿命比EEPROM短。

发表于 2009-8-20 12:59

本帖最后由冷漠于 2009-8-20 13:01 编辑

很简单的道理：512内部有128字节的缓冲区，当你写入第一个字节的时候，512内部已经并行开始固化工作。由于写入速度总是大于固化速度，所以即使你写入完毕一页128个字节，也用不了5ms吧，那么512内部固化一个字节需要5ms（手册上说明的），第一个字节5ms，并行重叠最后一个字节5ms。传输128字节算最大时间5ms，加起来一共最大10ms。也就是说，从每页最后一个字节传输完毕算起，延时5ms 就可以继续写如下一页了。可靠点，延时10ms吧。

512应该写入完成后有一个信号传出来，还是外部用读最后一个字节来验证是否写入完成,没研究过。

发表于 2009-8-20 13:27

页写等待10ms足够了（部分手册写的是最小5ms最大15ms……atmel的eeprom改得很频繁，我都怀疑电脑里有超过10种datasheet了，有一次还买到了一盘打着"ATMLH"字样的512，兴冲冲的让芯片商退货，把人家也吓了一大跳），全部写完也就五六分钟。合理设计数据结构，增加一个校验单元就行了，CRC32比较适合。

发表于 2009-8-20 14:25

12# yewuyi
谢谢，，能说下什么是铁电拉么？？还有能给我推荐个存储器么？、占用管脚不要太多，，

发表于 2009-8-20 14:37

14# mohanwei
谢谢，校验单元要怎么加呢？能给个思路么？是想冷漠大哥提到的，存完以后读取一个字节来进行检验？

发表于 2009-8-20 14:41

本帖最后由 wkatt1002 于 2009-8-20 14:55 编辑

13# 冷漠
谢谢，那是不是就意味着我连续写入字节只要不超过一页，，写入每个之间就不需要延时，超过一页，就要延时一次，等待他固化完成？

发表于 2009-8-20 16:02

例如把校验单元放到数据区后面，存储数据结构：
typedef struct
{
unsigned char Dat[_Pa_Len];
unsigned long CRC32;
}PaStruct;
读取的时候（一般是开机），把读到的数据校验一下看是否正确。

发表于 2009-8-23 10:47

1、你使用GOOGLE搜索一下就可以看到铁电存储器的大把信息，推荐深圳华胄或者广州周立功或者杭州利尔达这三个供应商。
2、校验的方法有很多种，但需要你自己的应用软件的配合，例如和校验，例如CRC校验等均可。
3、一个页之内的数据连续发送，发送完成后延迟规定的时间完毕即可。

发表于 2009-8-25 12:39

再此感谢各位大虾

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