关于EEPROM与FLASH的问题

[复制链接]
1183|10
 楼主| myidear 发表于 2016-1-23 22:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
不是flash也可以存储数据吗?那为什么还要模拟eeprom?模拟eeprom有什么用呢?
enginezhong 发表于 2016-1-24 17:10 | 显示全部楼层
这个要看应用场景呢吧,FLASH在写数据之前需要确保那片数据已经是擦除状态的,而eeprom是可以直接写了就可以覆盖的。用Flash模拟eeprom也是为了在应用的时候方便。
peakboy0016 发表于 2016-1-24 18:29 来自手机 | 显示全部楼层
读写次数和使用寿命不一样
l科科1987 发表于 2016-1-24 22:32 | 显示全部楼层
flash是用来存储代码的,在运行过程中不能改;EEPROM是用来保存用户数据,运行过程中可以改变
yysforever 发表于 2016-1-25 15:14 | 显示全部楼层
三楼说的对,读写次数和使用寿命是不一样的。尽量避免频繁的读写eeprom
justinlin2015 发表于 2016-1-25 17:01 | 显示全部楼层
学习了。。。。
yyj8902 发表于 2016-1-25 23:04 | 显示全部楼层
Flash是一种基于半导体的存储器,具有系统掉电后仍可保留内部信息,及在线擦写等功能特点,是一种替代EEPROM存储介质的新型存储器。因为它的读写速度比EEPROM更快,在相同容量的情况下成本更低.。
haokeer 发表于 2016-1-26 21:13 | 显示全部楼层
不管怎么模拟,flash都不可以掉电保存数据的
songlaijun 发表于 2016-1-28 22:09 | 显示全部楼层
一般写eeprom的时候,才会按照地址写的。而flash写进去会自动分配地址的。所以要用flash模拟eeprom,达到按字节读写的目的
Creas_Tall 发表于 2016-1-29 17:18 | 显示全部楼层
有的flash中,有很小的部分,这部分的数据即使掉电,也会保存的,用它来模拟eeprom来达到效果
Classover 发表于 2016-1-30 10:37 | 显示全部楼层
Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除。块擦除是把某一擦除块的内容都变为1,芯片擦除是把整个Flash的内容都变为1。通常一个Flash存储器芯片,分为若干个擦除block,在进行Flash存储时,以擦除block为单位。 当在一个block中进行存储时,一旦对某一block中的某一位写0,再要改变成1,则必须先对整个block进行擦除,然后才能修改。所以flash要模拟eeprom,而不能直接操作,通过块的复制和转移来达到eeprom存储的效果。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

24

主题

249

帖子

0

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部