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关于EEPROM与FLASH的问题

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沙发
enginezhong| | 2016-1-24 17:10 | 只看该作者
这个要看应用场景呢吧,FLASH在写数据之前需要确保那片数据已经是擦除状态的,而eeprom是可以直接写了就可以覆盖的。用Flash模拟eeprom也是为了在应用的时候方便。

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板凳
peakboy0016| | 2016-1-24 18:29 | 只看该作者
读写次数和使用寿命不一样

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来自android
地板
l科科1987| | 2016-1-24 22:32 | 只看该作者
flash是用来存储代码的,在运行过程中不能改;EEPROM是用来保存用户数据,运行过程中可以改变

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yysforever| | 2016-1-25 15:14 | 只看该作者
三楼说的对,读写次数和使用寿命是不一样的。尽量避免频繁的读写eeprom

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justinlin2015| | 2016-1-25 17:01 | 只看该作者
学习了。。。。

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yyj8902| | 2016-1-25 23:04 | 只看该作者
Flash是一种基于半导体的存储器,具有系统掉电后仍可保留内部信息,及在线擦写等功能特点,是一种替代EEPROM存储介质的新型存储器。因为它的读写速度比EEPROM更快,在相同容量的情况下成本更低.。

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haokeer| | 2016-1-26 21:13 | 只看该作者
不管怎么模拟,flash都不可以掉电保存数据的

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songlaijun| | 2016-1-28 22:09 | 只看该作者
一般写eeprom的时候,才会按照地址写的。而flash写进去会自动分配地址的。所以要用flash模拟eeprom,达到按字节读写的目的

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Creas_Tall| | 2016-1-29 17:18 | 只看该作者
有的flash中,有很小的部分,这部分的数据即使掉电,也会保存的,用它来模拟eeprom来达到效果

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Classover| | 2016-1-30 10:37 | 只看该作者
Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除。块擦除是把某一擦除块的内容都变为1,芯片擦除是把整个Flash的内容都变为1。通常一个Flash存储器芯片,分为若干个擦除block,在进行Flash存储时,以擦除block为单位。 当在一个block中进行存储时,一旦对某一block中的某一位写0,再要改变成1,则必须先对整个block进行擦除,然后才能修改。所以flash要模拟eeprom,而不能直接操作,通过块的复制和转移来达到eeprom存储的效果。

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