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驱动单管MOSFET，管子关断时间与D极上的负载关系密切

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jimmy0513|  楼主 | 2016-1-30 17:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 单管, 电阻, MOSFET管
如果负载为几十欧或者一百来欧，负载上的上升沿能达到理想的几十纳秒，但是功耗大，电阻发热严重，不敢长时间使用；如果负载上千欧的话，上升沿又很不理想了，是微妙级了；
总的来说，就是MOSFET管子导通很快，可是关断较慢，但是关断时间与D极上的负载大小成反比，请问要想达到比较快的上升沿，可以哪些做法？

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沙发
Lgz2006| | 2016-1-30 20:01 | 只看该作者
简单，再来一只管子打理上升沿，如常见的“互补推挽”电路

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板凳
airwill| | 2016-1-31 15:11 | 只看该作者
用专用的 MOSFET 驱动电路， 比如 TPS2811

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地板
xuplastic| | 2016-1-31 20:59 | 只看该作者
同三楼，推挽电路是正途

mos管不是关断慢，它关断是很快的，只是因为负载泄放电荷太慢了

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