发新帖我要提问
返回列表
打印
[HOLTEK MCU]

晶振稳定性问题？

[复制链接]
3230|8
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
火箭球迷|  楼主 | 2009-8-31 18:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
晶振, 金属, 抗干扰, 抗干扰性
把金属晶振外面的金属层与GND连接，这种接法是不是可以提高抗干扰性，使晶振更稳定？

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子

沙发
华荣汇FAE2| | 2009-9-1 10:07 | 只看该作者
可以

使用特权

评论回复 赏
板凳
无冕之王| | 2009-9-2 14:36 | 只看该作者
我觉得也可以。。。

使用特权

评论回复 赏
地板
秋天落叶| | 2009-9-3 21:30 | 只看该作者
晶振一般都是用15P的匹配电容来提高抗干扰性的，外壳直接接地，好像在做电路板中，没这样用的

使用特权

评论回复 赏
5楼
txcy| | 2009-9-3 21:48 | 只看该作者
嗯，这样用是可以提高稳定性

使用特权

评论回复 赏
6楼
dubuchu| | 2009-9-6 21:51 | 只看该作者
对，这样提高晶振的抗干扰能力，从而提高其稳定性。

使用特权

评论回复 赏
7楼
华荣汇FAE1| | 2009-9-7 09:17 | 只看该作者
是的，可以

使用特权

评论回复 赏
8楼
hsbjb| | 2009-9-21 14:32 | 只看该作者
是可以，不过实际操作起来不好弄，所以一般都没这样做

使用特权

评论回复 赏
9楼
yybj| | 2009-9-21 21:21 | 只看该作者
把晶振的外壳接地是可以提高抗干扰能力，但很少这样用

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

火箭球迷
个人签名：姚明的铁杆球迷

150

主题

3470

帖子

3

粉丝