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[HOLTEK MCU]

晶振稳定性问题？

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楼主
火箭球迷|  楼主 | 2009-8-31 18:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
晶振, 金属, 抗干扰, 抗干扰性
把金属晶振外面的金属层与GND连接，这种接法是不是可以提高抗干扰性，使晶振更稳定？

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华荣汇FAE2| | 2009-9-1 10:07 | 只看该作者
可以

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无冕之王| | 2009-9-2 14:36 | 只看该作者
我觉得也可以。。。

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秋天落叶| | 2009-9-3 21:30 | 只看该作者
晶振一般都是用15P的匹配电容来提高抗干扰性的，外壳直接接地，好像在做电路板中，没这样用的

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5楼
txcy| | 2009-9-3 21:48 | 只看该作者
嗯，这样用是可以提高稳定性

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6楼
dubuchu| | 2009-9-6 21:51 | 只看该作者
对，这样提高晶振的抗干扰能力，从而提高其稳定性。

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7楼
华荣汇FAE1| | 2009-9-7 09:17 | 只看该作者
是的，可以

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8楼
hsbjb| | 2009-9-21 14:32 | 只看该作者
是可以，不过实际操作起来不好弄，所以一般都没这样做

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9楼
yybj| | 2009-9-21 21:21 | 只看该作者
把晶振的外壳接地是可以提高抗干扰能力，但很少这样用

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