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[HOLTEK MCU] 晶振稳定性问题？

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 楼主| 火箭球迷 发表于 2009-8-31 18:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
晶振, 金属, 抗干扰, 抗干扰性
把金属晶振外面的金属层与GND连接，这种接法是不是可以提高抗干扰性，使晶振更稳定？
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华荣汇FAE2 发表于 2009-9-1 10:07 | 显示全部楼层
可以
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无冕之王 发表于 2009-9-2 14:36 | 显示全部楼层
我觉得也可以。。。
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秋天落叶 发表于 2009-9-3 21:30 | 显示全部楼层
晶振一般都是用15P的匹配电容来提高抗干扰性的，外壳直接接地，好像在做电路板中，没这样用的
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txcy 发表于 2009-9-3 21:48 | 显示全部楼层
嗯，这样用是可以提高稳定性
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dubuchu 发表于 2009-9-6 21:51 | 显示全部楼层
对，这样提高晶振的抗干扰能力，从而提高其稳定性。
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华荣汇FAE1 发表于 2009-9-7 09:17 | 显示全部楼层
是的，可以
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hsbjb 发表于 2009-9-21 14:32 | 显示全部楼层
是可以，不过实际操作起来不好弄，所以一般都没这样做
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yybj 发表于 2009-9-21 21:21 | 显示全部楼层
把晶振的外壳接地是可以提高抗干扰能力，但很少这样用
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