新手请教MOSFET的参数说明,谢谢。

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 楼主| woshixinshou 发表于 2009-9-6 10:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
Turn-On Delay Time            ––– 7.0 ––– VDD = 28V
tr Rise Time                       ––– 49 ––– ID = 16A
td(off) Turn-Off Delay Time ––– 31 ––– RG = 18W
tf Fall Time                        ––– 40 ––– RD = 1.8W, See Fig. 10


这几个是怎么解啊?
第一个是指已经是打开关了,7ns后才开始向栅极充电吗?
第二个是开始充电到充满栅极电容的时间吗?
以下两个也是相反的效果吗?

谢谢解答!
zmmhmily 发表于 2009-9-6 14:58 | 显示全部楼层
因为MOSFET存在输入电容Ci, Ci有充电过程,栅极电压UGS呈指数曲线上升,当UGS上升到开启电压UT时,开始出现漏极电流iD,从脉冲电压的前沿到iD出现,这段时间称为开通延迟时间td(on)。
随着UGS增加,iD上升,从有iD到iD达到稳态值所用时间称为上升时间tr。开通时间ton可表示为
ton=td(on)+tr
zmmhmily 发表于 2009-9-6 15:02 | 显示全部楼层
这个图可以看一下

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 楼主| woshixinshou 发表于 2009-9-6 15:06 | 显示全部楼层
刚刚上线,十分感谢,非常明白了,再谢~
xuhai20092009 发表于 2009-9-12 12:34 | 显示全部楼层
谢谢高手
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