深入讨论下STM8S有需要在Program时进行HSI校准吗？

2万 · 2009-9-7 10:29

本帖最后由 mcuisp 于 2009-9-7 10:42 编辑

STM8S的HSI经过合理的校准以后，可以获得优于1%的精度。
然而ST公司复位后初始化的factory calibrated的精度，在user manual保证的为+1.3%~-2.5%,@5V,25度。
我的想法是通过烧录器在烧录时，进行校准动作，从而获得一个初始化值，其在校准环境温度精度优于1%。

2万 · 2009-9-7 10:36

从User manual的图表来看，HSI的频率主要受温度和个体离散性影响。
由于内部采用了LDO给核心供电，HSI和LSI受VDD的影响都很小。
而温度的影响，从25度到125度，影响在0.5%左右。
从-40度到125度，影响在1.5%以下。

2万 · 2009-9-7 10:49

本帖最后由 mcuisp 于 2009-9-7 10:57 编辑

有几个疑问想请教香版：
1、HSI随温度变化的特性是否具有相当好的一致性。比如从125度到25度，图中变化是-0.5%，是否所有芯片都是如此？
2、ST的工厂校准是在25度5V下进行的，为何不能达到1%以内呢？是否工厂校准时用到的寄存器(一定有一个隐藏的，呵呵)的分辨率，不如CLK_HSITRIMR来得精细？
3、ST是否考虑了由烧录器进行校准的步骤？是否有AppNote？

1万 · 2009-9-7 10:53

回3楼问题：
1）是的。
2）猜测因为时间关系，所以没有做得很精细。
3）由烧录器进行校准是一个好的思路，目前还没有应用笔记。

2万 · 2009-9-8 20:09

经过2天的研究，又来给香版提问了：
  1、STM8S的HSI频率，除了个体离散性、电源电压Vdd和芯片温度Tj外，还有其他因素吗？我能想到如老化时效影响、芯片封装影响、安装到PCBA及设备内后周边材料器件的影响。
  2、我目前手头的几个芯片，在3.4V/室温(33度左右)下进行测试，有的偏了0.8%左右，通过我现在的校准算法，103/105能校准到+-0.3%以下(因为校准分辨率为0.5%)。加上估计的温度影响(-40~125度，估计+-0.7%)(电压影响可以忽略)，在全电压、温度范围内可以达到+-1.1%。可以满足串口通讯、红外遥控等的要求。
  ST的UserManual承诺的全电压、温度范围的精度为-4.3%~+3%，已经不能满足串口通讯的要求。ST有篇Appnote是用外部时基(50Hz)来进行校准的。哪有没有不需要外部时基，而是利用类似FreeScale、MSP430的做法来提高HSI应用精度的说明。
  3、香版对STM8S芯片内部HSI Factory Calibrated的离散性有没有印象。
  如果除了电源电压和芯片温度没有其他因素影响HSI，而温度的影响又是如UserManual中所示，+-0.7%的范围，则可以通过烧录器进行校准，把HSI的独立精度提高到+-1%的水平。
  实测结果，我的几片测试片(有103/105/207/208/903)，在校准以后，输出50Hz的信号，均在49.8~50.2范围内(泰克示波器测量结果)，比校准前有明显提高。
注：FSL和MSP430内部的FLASH预存储有校准值，软件可以读出后写入寄存器，即提高HSI精度。