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铝电解电容的各种失效原因

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ITXSS|  楼主 | 2007-10-13 00:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
对电容器失效的分析:
失效模式:
1. 防暴阀打开:
            现象:内压增加,内部温度上升。
            原因:在使用过程中,施加过电压,纹波电流过大,施加反向电压,频繁充放电,施加交流电,使用温度过高。
2. 容量下降:
            现象:阳极箔容量减少,阴极箔容量减少,电解液干涸(主要原因)
            原因:制造方面,电解液量不足,使用原因,施加过电压,纹波电流过大,
施加反向电压,频繁充放电,施加交流电,使用温度过高。
3. 损耗上升:
            现象:阳极箔容量减少,阴极箔容量减少,电解液干涸(主要原因)
            原因:制造方面,电解液量不足,使用原因,施加过电压,纹波电流过大,
施加反向电压,频繁充放电,施加交流电,使用温度过高,长时间
使用。
4. 漏电流上升:
            现象:氧化膜劣化,氯离子的侵入腐蚀
            原因:制造方面,氧化膜的缺陷,使用方面,施加过电压,纹波电流过大,
施加反向电压,频繁充放电,施加交流电,使用温度过高,长时间
使用,使用含有卤素的洗净剂,粘接剂的使用,涂层剂的使用。
5. 短路:
           现象:氧化膜劣化,氧化膜,电解纸的绝缘作用受到破坏。
           原因:制造原因,氧化膜的缺陷,金属微粒附着,铝箔,引线毛刺,使用原因,引线受到异常外部应力
6. 开路:
           现象:引出线与铝箔接触不良,腐蚀,氯离子的侵入。
           原因:制造原因,引出线与铝箔铆接不实,机械应力的施加。使用原因,引线
受到异常外部应力,使用含氯离子的洗净剂,粘接剂的使用,涂层剂的使用。

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沙发
ITXSS|  楼主 | 2007-10-14 11:17 | 只看该作者

晶体二极管分类一

一、根据构造分类
  半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:

  1、点接触型二极管
  点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。

2、键型二极管
  键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

3、合金型二极管
  在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。

4、扩散型二极管
  在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

5、台面型二极管
  PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。

6、平面型二极管
  在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。

7、合金扩散型二极管
  它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。

  8、外延型二极管
  用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

9、肖特基二极管
  基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管

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板凳
michael_li| | 2007-10-15 14:06 | 只看该作者

来看看!!

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地板
itxss| | 2009-7-28 12:58 | 只看该作者

总结的不错

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5
chen_ming011| | 2009-8-25 10:42 | 只看该作者
二楼写的很好 受教了

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