本帖最后由 mcuisp 于 2009-9-13 12:35 编辑
1、STM8S103 HSI的参数：0.5%的校准分辨率，极小的电压漂移，+-0.8%的典型温度漂移(未有列出最大值)。官方的说法是校准后的精度+-1%以内。
2、校准的方法及达到的精度：
a，依赖ST校准，ST承诺最大误差为-4.5%~+3%，典型误差为-3.3%~+2.1%。
b，依赖外部基准时钟校准，校准后最大误差为+-0.3%再加上外部基准时钟的精度。由于校准后精度必定差于外部基准时钟，个人认为不如直接采用外部基准时钟作为系统时钟基准(譬如50Hz)。
c，依赖烧录器初始校准，校准后最大误差-1.9%~+1.9%，典型值为-1.0%~+1.0%。由于烧录器的时钟基准一般为数十ppm可忽略不计。
d，结合以上三者，即采用烧录器初始校准作为初始值，再利用外部基准时钟校准。
3、烧录器初始校准的说明：用户代码中保留一个FLASH或EEPROM位置，烧录器在烧录代码时，测量出该芯片的最佳校准值，写入该位置。用户代码在复位后把该值取出，写入CK_HSITRIMR即可。
4、在-40~0度的低温区，HSI的温度漂移比较大。0~+125度的温度范围内，漂移小很多。
5、由于ST的DATASHEET中对于HSI电压、温度的漂移，只有典型值的图。所以只能说依赖烧录器初始校准能达到-1.0%~+1.0%的典型精度。希望ST能给出电压、温度漂移的最大值，以便用户更好的评估、使用HSI。
6、STM8S207/208的校准分辨率为1%，但是207/208使用HSI作为时钟的可能性较小，我认为意义不大。就如同STM32的HSI，也可以校准，但意义不大(大都会用8M晶振)。
7、拿FreeScale的HCS08的ICS来做个比较，0.2%的校准分辨率，整个电压、温度范围的漂移+-2%。与STM8S比较，基本上是同一水平。
8、拿MSP430F2230的DCO来做个比较，每步12%的校准分辨率，整个电压、温度范围的漂移+-5%。呵呵，TI这方面不太理想。 |
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