晶振右面有个1M的电阻,是用来干嘛的

[复制链接]
3762|16
 楼主| playergatsby 发表于 2016-2-21 16:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
看最小系统电路的时候,总发现有个1M的电阻,这个是用来干嘛的呢?有时候见有,有时候就没了?
单片机菜菜 发表于 2016-2-21 23:04 | 显示全部楼层
是用来阻抗匹配的,标准的电路中都有这个的。
麦克塔维什 发表于 2016-2-23 21:53 | 显示全部楼层
我也是见有的电路加,有的电路不加。
小小少年苦中乐 发表于 2016-2-25 20:07 | 显示全部楼层
基本上,其作用是作为阻抗匹配,使晶体的驱动电路或晶体本身处于更良好的工作条件.
大白农 发表于 2016-2-27 10:54 | 显示全部楼层
这个电阻也并不都是1M,有的大点有的小点,还更工作条件有关.
会飞的大白 发表于 2016-2-27 22:02 | 显示全部楼层
这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区是没有增益的, 而没有增益是无法振荡的. 如果用芯片中的反相器来作振荡, 必须外接这个电阻, 对于CMOS而言可以是1M以上, 对于TTL则比较复杂, 视不同类型(S,LS...)而定. 如果是芯片指定的晶振引脚, 如在某些微处理器中, 常常可以不加, 因为芯片内部已经制作了, 要仔细阅读DATA SHEET的有关说明.
wangjiahao88 发表于 2016-2-28 21:25 | 显示全部楼层
是用来阻抗匹配的
而且 正规的 还有电容还要串联一个电阻。
lt1231 发表于 2016-2-29 09:42 | 显示全部楼层
提高内部工作点,比较容易起振
新人求带 发表于 2016-2-29 19:58 | 显示全部楼层
反相器附近的电阻Rf产生负反馈,它将反相器设定在中间补偿区附近,使反相器工作在高增益 线性区域,容易起振。
wangjiahao88 发表于 2016-3-18 20:20 | 显示全部楼层
学习了!

那这个电路是标准的1M吗?

与频率、电容的大小有关系吗?
 楼主| playergatsby 发表于 2016-4-27 16:02 | 显示全部楼层
大白农 发表于 2016-2-27 10:54
这个电阻也并不都是1M,有的大点有的小点,还更工作条件有关.

我见基本都是1M的电阻。
 楼主| playergatsby 发表于 2016-4-27 16:03 | 显示全部楼层
会飞的大白 发表于 2016-2-27 22:02
这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区是没有增益的, 而没有增益是无 ...

这个讲的好,学习了!这些涉及到微电子层面了。
 楼主| playergatsby 发表于 2016-4-27 16:04 | 显示全部楼层
wangjiahao88 发表于 2016-2-28 21:25
是用来阻抗匹配的
而且 正规的 还有电容还要串联一个电阻。

对对,我见官方的标准电路都是这么干的。
 楼主| playergatsby 发表于 2016-4-27 16:05 | 显示全部楼层
发帖发配失败,只能是无满意答案结贴了。谢谢大家的回复!
DreamofOven 发表于 2016-4-28 22:39 | 显示全部楼层
wangjiahao88 发表于 2016-2-28 21:25
是用来阻抗匹配的
而且 正规的 还有电容还要串联一个电阻。

那这个阻抗匹配是如何做到的呢?
cnb12345 发表于 2016-4-29 10:12 | 显示全部楼层
cnb12345 发表于 2016-4-29 10:15 | 显示全部楼层
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

8

主题

82

帖子

1

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部