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[技术]

MOSFET的反向恢复

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楼主
selongli|  楼主 | 2016-2-21 20:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
FET, MOS, MOSFET, os
MOSFET，反向恢复时间，会带来什么样的差别

在应用中会带来哪些差异？

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沙发
pmp| | 2016-2-21 20:19 | 只看该作者
反向恢复行为通常采用双脉冲测试方法进行评估

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板凳
i1mcu| | 2016-2-21 20:20 | 只看该作者
如果它的反向恢复时间”trr”太长,就可能无法获得内在拓扑提供的效率优势

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地板
cehuafan| | 2016-2-21 20:21 | 只看该作者
反向恢复时间(trr)非常重要。

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5楼
uptown| | 2016-2-21 20:22 | 只看该作者
即使在开关损耗最小的谐振拓扑中,MOSFET的寄生二极管也作用重大

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6楼
i1mcu| | 2016-2-21 20:22 | 只看该作者
高速开关配置高速Trr

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7楼
pmp| | 2016-2-21 20:23 | 只看该作者
功率耗损也会随之变化

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8楼
i1mcu| | 2016-2-21 20:23 | 只看该作者
沟槽FET具有更加出色的反向恢复性能

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9楼
i1mcu| | 2016-2-21 20:25 | 只看该作者

trr 越短，损耗越小。

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10楼
uptown| | 2016-2-21 20:26 | 只看该作者
，影响功率MOSFET的安全工作 。

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11楼
cehuafan| | 2016-2-21 20:28 | 只看该作者
由于di/dt直接影响了反向恢复电流IRR的大小

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12楼
i1mcu| | 2016-2-21 20:28 | 只看该作者
不能忽视其反向恢复特性对系统的影响

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13楼
pmp| | 2016-2-21 20:28 | 只看该作者
控制合适的开关速度来控制反向恢复时

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14楼
pmp| | 2016-2-21 20:41 | 只看该作者
马达控制应用？

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15楼
i1mcu| | 2016-2-21 20:42 | 只看该作者
反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。

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16楼
i1mcu| | 2016-2-21 20:43 | 只看该作者
快恢复的最主要特点是它的反向恢复时间

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17楼
pmp| | 2016-2-21 20:43 | 只看该作者
过选择具有较软恢复系数的MOSFET来进行设计

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18楼
i1mcu| | 2016-2-21 20:43 | 只看该作者
电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定值的时间间隔。

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19楼
cehuafan| | 2016-2-21 20:44 | 只看该作者
它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

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20楼
i1mcu| | 2016-2-21 20:45 | 只看该作者
超快恢复二极管甚至能达到几十纳秒。

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