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[技术] MOSFET的反向恢复

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 楼主| selongli 发表于 2016-2-21 20:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
FET, MOS, MOSFET, os
MOSFET，反向恢复时间，会带来什么样的差别

在应用中会带来哪些差异？
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pmp 发表于 2016-2-21 20:19 | 显示全部楼层
反向恢复行为通常采用双脉冲测试方法进行评估
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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:20 | 显示全部楼层
如果它的反向恢复时间”trr”太长,就可能无法获得内在拓扑提供的效率优势
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cehuafan 发表于 2016-2-21 20:21 | 显示全部楼层
反向恢复时间(trr)非常重要。
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uptown 发表于 2016-2-21 20:22 | 显示全部楼层
即使在开关损耗最小的谐振拓扑中,MOSFET的寄生二极管也作用重大
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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:22 | 显示全部楼层
高速开关配置高速Trr
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pmp 发表于 2016-2-21 20:23 | 显示全部楼层
功率耗损也会随之变化
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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:23 | 显示全部楼层
沟槽FET具有更加出色的反向恢复性能

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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:25 | 显示全部楼层

trr 越短，损耗越小。
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uptown 发表于 2016-2-21 20:26 | 显示全部楼层
，影响功率MOSFET的安全工作 。
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cehuafan 发表于 2016-2-21 20:28 | 显示全部楼层
由于di/dt直接影响了反向恢复电流IRR的大小
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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:28 | 显示全部楼层
不能忽视其反向恢复特性对系统的影响
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pmp 发表于 2016-2-21 20:28 | 显示全部楼层
控制合适的开关速度来控制反向恢复时
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pmp 发表于 2016-2-21 20:41 | 显示全部楼层
马达控制应用？
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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:42 | 显示全部楼层
反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。
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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:43 | 显示全部楼层
快恢复的最主要特点是它的反向恢复时间
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pmp 发表于 2016-2-21 20:43 | 显示全部楼层
过选择具有较软恢复系数的MOSFET来进行设计
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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:43 | 显示全部楼层
电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定值的时间间隔。
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cehuafan 发表于 2016-2-21 20:44 | 显示全部楼层
它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
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i1mcu 发表于 2016-2-21 20:45 | 显示全部楼层
超快恢复二极管甚至能达到几十纳秒。
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