小弟最近做了一个板子,芯片选用ti的6416,主频600M,emif总线时钟100MHz,外扩4片MT48LC8M16A2,组成64MB的空间,刷新周期设置为700个时钟周期。但是在读写时发现前8M的空间可以正常读写,下面8M不能正常读写,再后面8M又可以,以此类推,也就是说当行地址的最高位为0时,这段空间可以正常读写,当行地址最高位为1时,这段存储空间是不可以正常读写的,但是也不是完全不能读写,在刷新后的几个周期是可以的,一般只可以写进去3到4个数据,后面就写不进去了。我尝试将刷新周期调到20个时钟周期,整个SDRAM空间就都可以正常访问了,但是这样EMIF总线会占用大量的时间去刷新SDRAM,导致读写速度降低。很长时间了,始终没有进展,调试了请问大家有没有好的建议? |