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[DSP编程]

有关DSP外扩SDRAM求助

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renry9710|  楼主 | 2016-2-25 17:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
小弟最近做了一个板子,芯片选用ti的6416,主频600M,emif总线时钟100MHz,外扩4片MT48LC8M16A2,组成64MB的空间,刷新周期设置为700个时钟周期。但是在读写时发现前8M的空间可以正常读写,下面8M不能正常读写,再后面8M又可以,以此类推,也就是说当行地址的最高位为0时,这段空间可以正常读写,当行地址最高位为1时,这段存储空间是不可以正常读写的,但是也不是完全不能读写,在刷新后的几个周期是可以的,一般只可以写进去3到4个数据,后面就写不进去了。我尝试将刷新周期调到20个时钟周期,整个SDRAM空间就都可以正常访问了,但是这样EMIF总线会占用大量的时间去刷新SDRAM,导致读写速度降低。很长时间了,始终没有进展,调试了请问大家有没有好的建议?

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沙发
zhangmangui| | 2016-3-1 23:09 | 只看该作者
拓扑结果怎么弄得啊     fly-by?
如果确定DSP的EMIF接口和存储接口的速度  
那就是硬件设计或走线的问题了

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