回三楼:<br />我想知道IGBT出于什么原因能被烧毁,比如说过压过流什么的<br /><br />回四楼:<br />这个电路我没有用驱动,当然实际产品用的841或者2SD315,这只是一个试验,G极直接用可调直流电源供电,0-60V可调,另外我试过C E 两端不加电压,G E两端电压达到60V,IGBT完好<br /><br />回五楼:<br />驱动用直流电源是用的一个仪器,直流电源供电,0-60V可调,与整流那路没有关系<br /><br />回六楼:<br />没有散热器,只是短时间供电,热量应该不是太过.<br /><br />现在我想知道的是G E 两端突施的30V高压会对IGBT造成什么严重后果,上面我提到的那两个IGBT,G E端完好,只是C E端电阻变小,大约400欧左右,也就是说GE端的高压没有对GE造成实质性损害,但却对CE端造成了损害,为什么会这样,IGBT损坏一般是由于过流或者过压造成的,但在这个试验中过流明显不成立,因为有限流电阻,电流最大10A左右。至于过压现在还不敢确定,母线240V的直流应该不算是太高的电压,因为所用的IGBT可耐压1200V,明天决定用示波器看看IGBT开通瞬间CE两端会不会有过冲。<br /><br />请各位朋友帮忙分析一下,谢谢!!
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