9G45为了提高显示效果，特设有EBI0 EBI1,其中EBI0特别为DDRII设计。EBI1可以接SDRAM或DDRII.Atmel提供的开发板，EBI1接的是DDRII，也就是1.8V的接口。
针对EBI1，我有以下问题，欢迎大家探讨：
1. 假如EBI1也和EBI0一样，采用DDRII，那么，同样直接挂在EBI1上的NorFlash/NandFlash也要求是1.8V的，同样，直接挂EBI1的其他外设也要求是1.8V的。但是，1.8V的无论是nor还是nand,目前都很难采购，或者奇贵。
2.假如EBI1采用3.3V的SDRAM，那么，这个系统是有点怪怪，那么，EBI0有必要采用BGA封装的DDRII呢？那么，退而求其次，不如用9263?
3.假如EBI也和EBI0一样，采用DDRII，然后再将1.8V的EBI1转换成3.3V的'EBI2'，这样，可以解决1.8V的nor和nand的问题，但是，将近60根的总线进行电平转换，即使用CPLD，也超过TQFP144封装所提供的IO数,同时，成本不便宜。另外，这种转换还需要考虑门芯片的延时，毕竟是100多M的总线啊。
大家看看能出点什么主意？ |
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