发新帖我要提问
12下一页
返回列表
打印

这个MOS管驱动电路为什么为要加个R4呢？

[复制链接]
6650|27
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
ecook|  楼主 | 2009-11-2 19:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 驱动电路, AC
本帖最后由 ecook 于 2009-11-2 19:04 编辑

我觉得R4会影响到MOS管开通的速度。
难道是为了限流？

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
123654789| | 2009-11-2 19:11 | 只看该作者
R4在这里是缓冲作用啊！！
R4=6.8 值又不是很大，
因此对速度影响不大

使用特权

评论回复 赏
板凳
ecook|  楼主 | 2009-11-2 19:52 | 只看该作者
2# 123654789
什么是缓冲作用呢？
虽然R4比较小，但是MOS管的栅极的放电电流比较大，可能要用到功率电阻吧？

使用特权

评论回复 赏
地板
chunyang| | 2009-11-2 20:17 | 只看该作者
呵呵，别忘了MOS管是什么类型的器件。

使用特权

评论回复 赏
5楼
siistoo| | 2009-11-2 20:44 | 只看该作者
首先需要质疑的是这个电路可能根本就不能工作啊！
TPC8013是一个N MOS， Vgs至少要大于2V
图中我没看出来栅极的电压是如何做到比源极高的？
谁能告诉我……

使用特权

评论回复 赏
6楼
ecook|  楼主 | 2009-11-2 20:50 | 只看该作者
4# chunyang
版主的意思是MOS管是压控型器件，栅极流入的电流近似为零吗？但是其开启时应该会有个充电电流吧？

使用特权

评论回复 赏
7楼
siistoo| | 2009-11-2 22:04 | 只看该作者
这个不是自己搭了一个DCDC吧？
看来有必要修改一下我的仿真参数
再看看……

使用特权

评论回复 赏
8楼
qiuming| | 2009-11-2 22:29 | 只看该作者
R4胡功率不需要很大。

使用特权

评论回复 赏
9楼
lamdoc| | 2009-11-3 09:15 | 只看该作者
因为是快速开关管，所以要加个功率电阻，一般都是0805以上的封装。

使用特权

评论回复 赏
10楼
ecook|  楼主 | 2009-11-3 09:29 | 只看该作者
呃。。。大家众说纷纭，不知道哪种是正确的。不过谢谢大家

使用特权

评论回复 赏
11楼
zjp8683463| | 2009-11-3 09:44 | 只看该作者
1.lz的电路里应该是个PMOS。
2。MOS开关速度其实是对Cgs充放电，要速度快就要有较大充放电电流。
3.R4起到一个限流作用，限制的是瞬间电流，所以不需要大功率电阻。

使用特权

评论回复 赏
12楼
ecook|  楼主 | 2009-11-3 11:17 | 只看该作者
11# zjp8683463
谢谢你的回答。
但是如果MOS管的开关频率比较高时，可能平均电流就会比较大了。
我算了下，如果PMOS的S极电压为20V的情况下，那么Cgs上的电压为
Vgs = 20exp(-t/R4Cgs)。这样在R4 = 6.8欧的情况下，峰值电流为20/6.8=3A。已经比较大了。

使用特权

评论回复 赏
13楼
wangshujun| | 2009-11-3 12:39 | 只看该作者
可以限制一下速度,虽然从效率上来看是越快越好,但是太快了也有问题,第一是管子的应力会变大,可能带来损坏,第二是emc控制难度会变得很大

使用特权

评论回复 赏
14楼
hexiaodong| | 2009-11-3 15:31 | 只看该作者
有两个作用！

       第一，减缓上升延时间，达到限制最大冲击电流。
       第二，防止寄生震荡。

使用特权

评论回复 赏
15楼
chunyang| | 2009-11-3 15:46 | 只看该作者
楼上说的正确，楼主在6楼的认识是正确的思考方向，MOS管是电压型器件，压控端呈电容特性，控制端如果是电压源特性则会产生瞬态尖峰电流，串入电阻即可抑制尖峰，但电阻的接入使控制通路呈RC特性，在高频开关时要留意其时间常数。

使用特权

评论回复 赏
16楼
杜专| | 2009-11-3 18:37 | 只看该作者
学习

使用特权

评论回复 赏
17楼
yuanchsh| | 2009-11-4 08:00 | 只看该作者
阿阿，路过，无语。

使用特权

评论回复 赏
18楼
zjp8683463| | 2009-11-4 18:01 | 只看该作者
11# zjp8683463  
谢谢你的回答。
但是如果MOS管的开关频率比较高时，可能平均电流就会比较大了。
我算了下，如果PMOS的S极电压为20V的情况下，那么Cgs上的电压为
Vgs = 20exp(-t/R4Cgs)。这样在R4 = 6.8欧的情况下 ...
ecook 发表于 2009-11-3 11:17


这个是瞬间的冲击电流,实际上应该没那么大,驱动电路的电流没那么大的上升速度能够瞬间达到3A.这个充电过程可能只有几个ns

使用特权

评论回复 赏
19楼
ecook|  楼主 | 2009-11-4 18:56 | 只看该作者
18# zjp8683463
谢谢你的回答。
嗯，电流的上升时间的确应该没那么快。
但是充电时间的长短应该是由R4与Cgs决定的吧？一般功率MOS的Cgs都有上千p，这样时间就长了啊？

使用特权

评论回复 赏
20楼
赤铸| | 2009-11-5 08:08 | 只看该作者
主要是限制振荡，改善EMC
后面是个电感，打开速度本来就不需要那么快

使用特权

评论回复 赏
下一页 »
12下一页
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

ecook

72

主题

291

帖子

0

粉丝