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[电子元器件]

二极管渡越时间和反向恢复时间的区别？

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楼主
xiaoyi594|  楼主 | 2016-3-7 14:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
二极管, AC, ce, ic, IO
本帖最后由 xiaoyi594 于 2016-3-7 14:34 编辑

最近看pspice，Diode的参数里面有个“渡越时间” 即下表中Tt。此参数和二极管反向恢复时间Trr有何区别和关系？（例如1N4148 手册里只给出反向恢复时间 4ns）
谢谢！


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沙发
weilaiheike| | 2016-3-7 21:36 | 只看该作者
渡越时间：指的是电子从二极管的P端传导到N端的时间，对于双极型晶体管，少数载流子渡越中性基区的时间τB即称为基区渡越时间；它与基区宽度W直接有关

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板凳
Lgz2006| | 2016-3-8 08:07 | 只看该作者
二极管测试参数"反恢时间"是2个参数时间之和：存储时间+渡越时间

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地板
xiaoyi594|  楼主 | 2016-3-8 09:58 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2016-3-8 08:07
二极管测试参数"反恢时间"是2个参数时间之和：存储时间+渡越时间

谢谢。这个定义在哪里能找到？
搜了下，看起来是图中tf，所谓下降时间。

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5楼
Lgz2006| | 2016-3-8 10:04 | 只看该作者
百度的
http://wapwenku.baidu.com/view/207e7b71dd36a32d72758117.html?ssid=0&from=1011267h&uid=0&pu=usm@0,sz@1320_1004,ta@iphone_2_4.2_11_2.1&bd_page_type=1&baiduid=59242D1E905FC897760082A0791C1B2B&tj=wenku_7_0_10_title

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