分享讨论：利好消息——MRAM成为“万能内存王”指日可待

只看该作者 · 2016-3-11 17:06

如题，这个对于我们这些开发设计者来说是好消息的，在合理的价格下不用平凡的根据需要选择不同的存储介质的，是非常好的。
内存产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取内存(SRAM)的快速、闪存的高密度以及如同只读存储器(ROM)般低成本等各种优势的非挥发性内存。如今，透过磁阻随机存取内存(MRAM)，可望解决开发这种“万能”内存(可取代各种内存)的问题。

只看该作者 · 2016-3-11 17:07

遗憾的是，实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承诺)的优化步骤，似乎总是还得再等三年之久。如今，荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technology；TU/e)的研究人员宣称发现一种可让MRAM克服速度快、密度与成本问题的全新制造方法，称为“自旋霍尔效应与交换偏置反转零磁场磁化”(field-free magnetization reversal by spin-Hall effect and exchange bias)，或简称“弯曲电流”(current bending)。

只看该作者 · 2016-3-11 17:08

该弯曲电流生产制造方法的或许能给存储芯片的生产带来一次变革的。

只看该作者 · 2016-3-11 17:09

“随着磁位的尺寸缩小，写入磁位所需的电流密度已经变得过高了，”以TU/e教授Henk Swagten为主导的研究人员表示，“藉由垂直连接磁化层与抗铁磁材料，可望打造出一种沿电流方向的平面交换偏置(EB)；我们证实了只需利用由此EB 导致的原生平面磁场，可实现一种自旋霍尔效应驱动的磁化反转。”简这之，就是所谓的“弯曲”电流，似乎就能解决非挥发性MRAM的速度、密度与成本问题。

只看该作者 · 2016-3-11 17:10

如果你十分熟悉MRAM，那么你应该知道他们在电子向上或向下自旋时储存0与1，而不是经由电流差扰穿隧阻障层来累积或耗散电荷，因而得以“自旋霍尔效应” 在本质上实现优化的节能效果。不过，这仍然需要以电子铁磁材料执行自旋编码，才能翻转磁位。因此，Swagten的研究团队使用微量的电流脉冲，翻转每一磁位使其自旋——即“弯曲电流”，使其不仅更具能效，还能够像摩尔定律(Moore's Law)般地扩展。