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关于CY8C24423A内部EEPROM的寿命太短问题,大家给点思路

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love_life|  楼主 | 2009-11-9 13:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
Cy的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,并且该时间是温度的函数.setting T to 0°C and using the hot value for B and M. This simplification is acceptable only if the total number of erase write ycles are kept to less than 10 and the operation is performed near room temperature.翻译为:设置温度T=0°C,并使用高温段的B和M参数计算擦除和写入时间.在芯片实际温度为室温时,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次(不是100次也不是1000次,而是十次).
    其内部的温度传感器误差为:Accuracy of ± 20°C with no calibration .没有校正的误差为± 20°C.

    问题就此产生:假设当前芯片温度为25°C,温度传感器采到温度为5°C(-20°C的误差),那么使用该温度计算出来的擦除和写入时间参数EEPROM的寿命会是多少?
    解决问题的难点:校正温度传感器误差不现实,生产量太大(3K~7K/每天).使用外部温度传感器也不可能,成本太高(单个的传感器不贵,但是量变成质变).

  请大家支招.
沙发
huamunv| | 2009-11-9 22:01 | 只看该作者
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jxin| | 2009-11-10 22:32 | 只看该作者
楼主你那段擦写次数限制的英文从哪得到的?

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地板
love_life|  楼主 | 2009-11-10 22:44 | 只看该作者
从它的datasheet里啊

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luhongmiao520| | 2009-11-11 16:45 | 只看该作者
不会吧,那他其他系列的芯片也是少于10次擦写次数?

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6
Go_PSoC| | 2009-11-11 17:22 | 只看该作者
我在datasheet里面没找到,楼主能告诉我们是哪个datasheet,哪页吗?

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lobby| | 2009-11-12 13:55 | 只看该作者
应该不会吧,
少于10次擦写?

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ni_labview| | 2009-11-12 14:00 | 只看该作者
我实验过变送器上擦了不下200次,没坏

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luhongmiao520| | 2009-11-12 15:53 | 只看该作者
我也想问大家那个需要用仿真器么?
我在那个芯片的datasheet里面也没有看到lz说的

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god_like| | 2009-11-13 22:48 | 只看该作者
我也没看见过,LZ在哪看见的啊?

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liliang9554| | 2009-11-15 20:11 | 只看该作者
datasheet里面没找到?

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