关于BJT共射输出特性曲线的一个“细节”....

2万 · 2016-3-16 08:29

这个问题由一网友提出，确实有点意思，见链接：

https://bbs.21ic.com/icview-1433716-1-1.html

故再给个帖子说明一下。

2万 · 2016-3-16 08:31

BJT的输出特性曲线估计都知道，见下图：

那个共射输出特性曲线通常是看似从“原点”出发的一条曲线。

2万 · 2016-3-16 08:34

那么，根据替代原理，下图的Ic就该是“零”：

显然不对！

2万 · 2016-3-16 08:39

问题出在哪里呢？

其实那是忽略了那个“原点”附近的“细节”。给个图：

那是我在网友的帖子里的图，明确说明了BJT输出特性曲线来由和那个“细节”。

2万 · 2016-3-16 08:40

这里再补张图：

那是让“Vce”可降至零的“全图”。

2万 · 2016-3-16 08:43

这看似非常“炫”，其实仔细分析三极管的模型就可以得出此结论。

器件模型是模拟电路的三要素之一！

1万 · 2016-3-16 12:05

HWM 发表于 2016-3-16 08:43
这看似非常“炫”，其实仔细分析三极管的模型就可以得出此结论。

器件模型是模拟电路的三要素之一！

这个还是要从物理机理谈起吧，光是一个电子电路模型还不行。

只看该作者 · 2016-3-16 15:58

zyj9490 发表于 2016-3-16 12:05
这个还是要从物理机理谈起吧，光是一个电子电路模型还不行。

为什么不行，话不能说一半，您能不能谈谈物理机理?

1万 · 2016-3-16 16:20

zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 15:58
为什么不行，话不能说一半，您能不能谈谈物理机理?

实用模拟电路设计这本书三极管的物理机理可以看下。

只看该作者 · 2016-3-16 16:28

zyj9490 发表于 2016-3-16 16:20
实用模拟电路设计这本书三极管的物理机理可以看下。

您就不能简明扼要说一下为什么不行？对于这样的个“简单”问题，草草地给出一本书的名称就完事了，这很耽误您的时间吗？

1万 · 2016-3-16 17:19

zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 16:28
您就不能简明扼要说一下为什么不行？对于这样的个“简单”问题，草草地给出一本书的名称就完事了，这很耽 ...

发射结电流是扩散电流，跟浓度梯度有关，集电极电流是电埸力迁移产生的电流，这二个产生电荷移动的机制不一样，这就三极管从包和到放大的物理结构的基础。

只看该作者 · 2016-3-16 18:33

本帖最后由 zhengzhoubai 于 2016-3-16 18:35 编辑

zyj9490 发表于 2016-3-16 17:19
发射结电流是扩散电流，跟浓度梯度有关，集电极电流是电埸力迁移产生的电流，这二个产生电荷移动的机制不 ...

明白您的意思了。但其实现在并不是讨论的这个物理机制，是讨论测量输出特性在uce=o的ic问题，此时的集电极电流也是扩散电流，和发射极电流没啥不同。

1万 · 2016-3-16 18:42

zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 18:33
明白您的意思了。但其实现在并不是讨论的这个物理机制，是讨论测量输出特性在uce=o的ic问题，此时的集电极 ...

因此UCE=0的电流按二极管v-i DEAL.

1万 · 2016-3-16 18:47

本帖最后由 zyj9490 于 2016-3-16 18:49 编辑

zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 18:33
明白您的意思了。但其实现在并不是讨论的这个物理机制，是讨论测量输出特性在uce=o的ic问题，此时的集电极 ...

二个PN结因半导体的工艺杂质浓度，体积等不同，同样的电压下，产生的扩散电流是不同的，IB=IC+IE，IC与VBC的关糸，按二极管处理，但厂方不给出BC反偏时的伏安特性。

只看该作者 · 2016-3-16 19:03

zyj9490 发表于 2016-3-16 18:47
二个PN结因半导体的工艺杂质浓度，体积等不同，同样的电压下，产生的扩散电流是不同的，IB=IC+IE，IC与VBC ...

明白您的意思，但其实给出了，否则就不会有饱和区了。只是特性曲线忽略了IC为扩散电流部分，因为很少会工作在这个状态。

1万 · 2016-3-16 19:05

zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 19:03
明白您的意思，但其实给出了，否则就不会有饱和区了。只是特性曲线忽略了IC为扩散电流部分，因为很少会 ...

是的