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[电子元器件]

关于BJT共射输出特性曲线的一个“细节”....

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楼主
HWM|  楼主 | 2016-3-16 08:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
特性曲线
这个问题由一网友提出，确实有点意思，见链接：

https://bbs.21ic.com/icview-1433716-1-1.html

故再给个帖子说明一下。

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沙发
HWM|  楼主 | 2016-3-16 08:31 | 只看该作者
BJT的输出特性曲线估计都知道，见下图：



那个共射输出特性曲线通常是看似从“原点”出发的一条曲线。

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板凳
HWM|  楼主 | 2016-3-16 08:34 | 只看该作者
那么，根据替代原理，下图的Ic就该是“零”：



显然不对！

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地板
HWM|  楼主 | 2016-3-16 08:39 | 只看该作者
问题出在哪里呢？

其实那是忽略了那个“原点”附近的“细节”。给个图：



那是我在网友的帖子里的图，明确说明了BJT输出特性曲线来由和那个“细节”。

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5楼
HWM|  楼主 | 2016-3-16 08:40 | 只看该作者
这里再补张图：



那是让“Vce”可降至零的“全图”。

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6楼
HWM|  楼主 | 2016-3-16 08:43 | 只看该作者
这看似非常“炫”，其实仔细分析三极管的模型就可以得出此结论。

器件模型是模拟电路的三要素之一！

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7楼
zyj9490| | 2016-3-16 12:05 | 只看该作者
HWM 发表于 2016-3-16 08:43
这看似非常“炫”，其实仔细分析三极管的模型就可以得出此结论。

器件模型是模拟电路的三要素之一！

这个还是要从物理机理谈起吧，光是一个电子电路模型还不行。

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8楼
zhengzhoubai| | 2016-3-16 15:58 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2016-3-16 12:05
这个还是要从物理机理谈起吧，光是一个电子电路模型还不行。

为什么不行，话不能说一半，您能不能谈谈物理机理?

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9楼
zyj9490| | 2016-3-16 16:20 | 只看该作者
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 15:58
为什么不行，话不能说一半，您能不能谈谈物理机理?

实用模拟电路设计这本书三极管的物理机理可以看下。

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10楼
zhengzhoubai| | 2016-3-16 16:28 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2016-3-16 16:20
实用模拟电路设计这本书三极管的物理机理可以看下。

您就不能简明扼要说一下为什么不行？对于这样的个“简单”问题，草草地给出一本书的名称就完事了，这很耽误您的时间吗？

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11楼
zyj9490| | 2016-3-16 17:19 | 只看该作者
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 16:28
您就不能简明扼要说一下为什么不行？对于这样的个“简单”问题，草草地给出一本书的名称就完事了，这很耽 ...

发射结电流是扩散电流，跟浓度梯度有关，集电极电流是电埸力迁移产生的电流，这二个产生电荷移动的机制不一样，这就三极管从包和到放大的物理结构的基础。

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12楼
zhengzhoubai| | 2016-3-16 18:33 | 只看该作者
本帖最后由 zhengzhoubai 于 2016-3-16 18:35 编辑
zyj9490 发表于 2016-3-16 17:19
发射结电流是扩散电流，跟浓度梯度有关，集电极电流是电埸力迁移产生的电流，这二个产生电荷移动的机制不 ...

明白您的意思了。但其实现在并不是讨论的这个物理机制，是讨论测量输出特性在uce=o的ic问题，此时的集电极电流也是扩散电流，和发射极电流没啥不同。

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13楼
zyj9490| | 2016-3-16 18:42 | 只看该作者
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 18:33
明白您的意思了。但其实现在并不是讨论的这个物理机制，是讨论测量输出特性在uce=o的ic问题，此时的集电极 ...

因此UCE=0的电流按二极管v-i DEAL.

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14楼
zyj9490| | 2016-3-16 18:47 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2016-3-16 18:49 编辑
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 18:33
明白您的意思了。但其实现在并不是讨论的这个物理机制，是讨论测量输出特性在uce=o的ic问题，此时的集电极 ...

二个PN结因半导体的工艺杂质浓度，体积等不同，同样的电压下，产生的扩散电流是不同的，IB=IC+IE，IC与VBC的关糸，按二极管处理，但厂方不给出BC反偏时的伏安特性。

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15楼
zhengzhoubai| | 2016-3-16 19:03 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2016-3-16 18:47
二个PN结因半导体的工艺杂质浓度，体积等不同，同样的电压下，产生的扩散电流是不同的，IB=IC+IE，IC与VBC ...

明白您的意思， 但其实给出了，否则就不会有饱和区了。只是特性曲线忽略了IC为扩散电流部分，因为很少会工作在这个状态。

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16楼
zyj9490| | 2016-3-16 19:05 | 只看该作者
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 19:03
明白您的意思， 但其实给出了，否则就不会有饱和区了。只是特性曲线忽略了IC为扩散电流部分，因为很少会 ...

是的

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