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[DCDC]

开关电源,MOS管发热严重

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楼主: ziwanxu
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本帖最后由 Siderlee 于 2016-3-23 10:54 编辑

先研究研究驱动吧


1)需要死区

2)需要驱动能力

。。

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ziwanxu|  楼主 | 2016-3-23 11:22 | 只看该作者
benidy 发表于 2016-3-23 10:43
先不说楼主电路部分是否可行,光从电路上看楼主用的Mos属于功率Mos,324肯定驱动不了的,表现出来就是Gate ...

不知这样可不可以,一级三极管提高电平,后面在加推挽驱动提升驱动能力。选用一个NMOS开关

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不亦心| | 2016-3-23 13:05 | 只看该作者
ziwanxu 发表于 2016-3-23 11:22
不知这样可不可以,一级三极管提高电平,后面在加推挽驱动提升驱动能力。选用一个NMOS开关

...

第二种方案单片机IO口可以直接驱动、


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ziwanxu|  楼主 | 2016-3-23 14:57 | 只看该作者
不亦心 发表于 2016-3-23 13:05
第二种方案单片机IO口可以直接驱动、

第二种方法上面MOS管G级应该接什么

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不亦心| | 2016-3-23 15:12 | 只看该作者
ziwanxu 发表于 2016-3-23 14:57
第二种方法上面MOS管G级应该接什么

上拉到电源啊(电源电压足够驱动,不要接5V哦)

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不亦心| | 2016-3-23 15:14 | 只看该作者
不亦心 发表于 2016-3-23 15:12
上拉到电源啊(电源电压足够驱动,不要接5V哦)

我想多了。。
你只是要pwm调光,工作在开关状态,
直接选个40V低压MOS,单片机IO口可以直接驱动了

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ziwanxu|  楼主 | 2016-3-23 16:03 | 只看该作者
不亦心 发表于 2016-3-23 15:14
我想多了。。
你只是要pwm调光,工作在开关状态,
直接选个40V低压MOS,单片机IO口可以直接驱动了 ...

单片机IO口直接驱动会不会驱动能力不够,mos管不饱和。我22楼发的电路如何?

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不亦心| | 2016-3-23 17:28 | 只看该作者
ziwanxu 发表于 2016-3-23 16:03
单片机IO口直接驱动会不会驱动能力不够,mos管不饱和。我22楼发的电路如何? ...

AO3400,30V6A的MOS够用了,PWM频率跑低一点,可以直接驱动了。
22L的图太繁琐,直接用23L的第一种吧
非要用22L的,把R5移到Q2发射级,电阻值减小,
C5干掉,D3干掉

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ziwanxu|  楼主 | 2016-3-23 18:53 | 只看该作者
不亦心 发表于 2016-3-23 17:28
AO3400,30V6A的MOS够用了,PWM频率跑低一点,可以直接驱动了。
22L的图太繁琐,直接用23L的第一种吧
非要 ...

重新画了一下,这两个电路不知道有什么地方需要修改的?负载15-25V,4A,哪种更好一点?




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oayzw| | 2016-3-24 16:05 | 只看该作者
负载是电阻、容性还是感性?

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oayzw| | 2016-3-24 16:06 | 只看该作者
负载是电阻的话,下管可以去掉吧?!

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ziwanxu|  楼主 | 2016-3-26 14:51 | 只看该作者
负载LED

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lin5674675| | 2016-3-27 20:11 | 只看该作者
Pmos本身内阻大于NMOS,发热度肯定高,鉴于开关速度不一样冲击更是奇葩,搞上吸收二极管吧,如果你考虑了同时开启和关闭的想法
而且驱动的前端,你需要接个小阻值电阻,匹配速度

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