手上有一管子,怎样确定它是IGBT还是功率MOSFET?

只看该作者 · 2009-11-17 16:40

本帖最后由 12580 于 2009-11-18 17:51 编辑

各位好,请教一个问题：我手上有一三个脚的功率管，丝印早已看不清了，但我可以确定它是IGBT或者功率MOSFET中的一种。请问怎样确定它到底是IGBT还是功率MOSFET？

附上它的驱动电路图：（我所说的管子在图中标号为Q1,Q2,Q3,Q4）

只看该作者 · 2009-11-17 16:53

貌似一个普通大功率三极管

只看该作者 · 2009-11-17 17:06

回二楼，我测了实物不是三极管。图上的符号只是我选用了三极管的符号。

2万 · 2009-11-17 18:54

管它是IGBT还是功率MOSFET干嘛？
还不是一样的用？
用得着非要弄清楚吗？

再说，就1个的话，有这个必要吗？

只看该作者 · 2009-11-17 19:08

本帖最后由 12580 于 2009-11-17 19:10 编辑

呵呵，谢谢X的回贴，我是想直接用他的驱动电路。所以想搞清楚。

“管它是IGBT还是功率MOSFET干嘛？
还不是一样的用？” 你是说它这种驱动电路既可以驱动IGBT，也可以驱动MOSFET吗？但从电路上看，以及它们是并联使用。我觉得是MOS管，不知道对不对。

只看该作者 · 2009-11-17 19:34

MOS管的话用指针的万用表就可以测试的

只看该作者 · 2009-11-18 08:45

楼上的。用万用表怎么分别出IGBT 和 MOSFET？请告诉我一下。

2万 · 2009-11-18 12:18

量一量有没寄生二极管

3万 · 2009-11-18 13:32

IGBT也有带体内二极管的。

3万 · 2009-11-18 13:35

不通电测参数，很难确定。
最简单的方法，可能是门极加电压令其导通，然后看源极(发射极)和漏极(集电极)之间电阻是否对称，是否纯电阻。

只看该作者 · 2009-11-18 13:58

对，大功率漏源极通常都会有反向二极管，可以其中两个脚有没有二极管特性，用小点的档没，乘1、10都行，然后确定后再打到乘10K的档，对假设的控制脚触发，再测漏源极电阻有没有变化，比较烦琐些，多试几次！

只看该作者 · 2009-11-18 14:02

我不通电测试时，有两个脚确实可以测到体二极管。
“最简单的方法，可能是门极加电压令其导通，然后看源极(发射极)和漏极(集电极)之间电阻是否对称，是否纯电阻。”
MOSFET和IGBT哪个会在门极导通后，源极(发射极)和漏极(集电极)之间电阻对称？哪个会是纯电阻？

3万 · 2009-11-18 14:53

MOS管的源极和漏极之间是电阻性质，即电流与两端电压大体上成正比。而且无论正向还是反向均如此。当然，测量时需要避开体内二极管的影响，即测量时两端电压不可超过二极管导通电压。
IGBT则不然，发射极与集电极之间并非电阻性质，正向反向也不对称。

3万 · 2009-11-18 14:55

这个办法，还请chunyang、awey、tyw和xwj等几位检查一下。

2万 · 2009-11-18 15:37

俺都说了一样的用了，还非要分清楚干嘛呢？

只看该作者 · 2009-11-18 15:40

本帖最后由 12580 于 2009-11-18 15:44 编辑

呵呵，谢谢maychang.您说得很详细。

这个是MOSFET的等效图。

这个是IGBT的等效图。
我觉得这两个器件，给栅极加导通电压后，D极和S极（或者C极和E极）都可能会是在线性的可变电阻区内。

3万 · 2009-11-18 17:17

回15楼xwj：
这两种器件，使用上还是有一些区别的，并非完全一样。

只看该作者 · 2009-11-18 17:50

谢谢.maychang 和 xwj 两位,相对我的驱动电路来说.它们应该都可以的. 我打算把它当MOSFET算了.

2万 · 2009-11-18 18:10

说两句，二者的工作机理是不同的。增强型VMOS是沟道内的多子导电，导通后呈现电阻性质。而IGBT是PN结少子导电，还多了个PN结，与三极管相同，电流对电压呈指数关系，因此maychang的方法是可行的。
另外，MOS管的输出电容比IGBT大十倍，适合零电压开通。而IGBT关断时有很长的拖尾电流，适合零电压关断。工作频率上，MOS比IGBT高两个数量级，电流小一个数量级，综合指标比IGBT进步。

2万 · 2009-11-18 18:15

在施加一定栅源电压的情况下, 测量SD或CE间的正反向电阻，可以很快的区分出它是MOS还是IGBT。
由于内部阻尼二极管的压降比较高，因此用R*1档或200R档测量基本时，MOS的SD是阻值相同，而IGBT的CE阻值则由于正反向的跨导不同，反向测量阻值会大很多。

手上有一管子,怎样确定它是IGBT还是功率MOSFET?

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