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一种ＬＤＭＯＳ晶体管（１０），在该ＬＤＭＯＳ晶体管（１０）的掺杂区域的中心插入有肖特基二极管（２８，１６）。典型的ＬＤＭＯＳ晶体管在中心具有漂移区（１６）。在此情况下，将肖特基二极管（２８，１６）插入在该漂移区（１６）的中心，这提供了以正向方向从源区（２２）连接到漏区（２４）的肖特基二极管（２８，１６），使得将漏电压钳位到低于ＰＮ结阈值的电压，从而避免将该ＰＮ结（１６，１２）正向偏置。一种替换方式是将肖特基二极管（６０，４４）插入在其中形成了源区（５４）的阱中，其在该ＬＤＭＯＳ晶体管（４０）的周围。在这样的情况下，肖特基二极管（６０，４４）不同地形成，但仍然从源区（５４）以正向方向连接到漏区（５６），以实现期望的漏区（５６）上电压钳位。 |
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